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FDB6021P Datasheet

  • FDB6021P

  • 20V P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET

  • 5頁

  • FAIRCHILD

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FDP6021P/FDB6021P
April 2001
PRELIMINARY
FDP6021P/FDB6021P
20V P-Channel 1.8V Specified PowerTrench
餂?/div>
MOSFET
General Description
This P-Channel power MOSFET uses Fairchild鈥檚 low
voltage PowerTrench process. It has been optimized for
power management applications.
Features
鈥?/div>
鈥?8 A, 鈥?0 V. R
DS(ON)
= 30 m鈩?@ V
GS
= 4.5 V
R
DS(ON)
= 40 m鈩?@ V
GS
= 2.5 V
R
DS(ON)
= 65 m鈩?@ V
GS
= 1.8 V
鈥?/div>
Critical DC electrical parameters specified at
elevated temperature
鈥?/div>
High performance trench technology for extremely
low R
DS(ON)
鈥?/div>
175擄C maximum junction temperature rating
Applications
鈥?/div>
Battery management
鈥?/div>
Load switch
鈥?/div>
Voltage regulator
.
D
G
S
G
G
D
S
TO-220
FDP Series
S
TO-263AB
FDB Series
D
Absolute Maximum Ratings
Symbol
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
T
J
, T
STG
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Drain Current
鈥?Continuous
鈥?Pulsed
T
A
=25
o
C unless otherwise noted
Parameter
Ratings
鈥?0
鹵
8
(Note 1)
(Note 1)
Units
V
V
A
W
W擄C
擄C
鈥?8
鈥?0
37
0.25
鈥?5 to +175
Total Power Dissipation @ T
C
= 25擄C
Derate above 25擄C
Operating and Storage Junction Temperature Range
Thermal Characteristics
R
胃JC
R
胃JA
Thermal Resistance, Junction-to-Case
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
4
62.5
擄C/W
擄C/W
Package Marking and Ordering Information
Device Marking
FDP6021P
FDB6021P
Device
FDP6021P
FDB6021P
Reel Size
Tube
13鈥?/div>
Tape width
n/a
24mm
Quantity
45
800 units
餂?001
Fairchild Semiconductor Corporation
FDP6021P/FDB6021P Rev B(W)

FDB6021P 產(chǎn)品屬性

  • 800

  • 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

  • FET - 單

  • PowerTrench®

  • MOSFET P 通道，金屬氧化物

  • 邏輯電平門

  • 20V

  • 28A

  • 30 毫歐 @ 14A，4.5V

  • 1.5V @ 250µA

  • 28nC @ 4.5V

  • 1890pF @ 10V

  • 37W

  • 表面貼裝

  • TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

  • TO-263AB

  • 帶卷 (TR)

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    N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET
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