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FCX688B Datasheet

  • FCX688B

  • NPN SILICON POWER (SWITCHING) TRANSISTOR

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SOT89 NPN SILICON POWER
(SWITCHING) TRANSISTOR
ISSSUE 1 - NOVEMBER 1998
FEATURES
FCX688B
C
*
*
*
*
2W POWER DISSIPATION
10A Peak Pulse Current
Excellent H
FE
Characteristics up to 10 Amps
Extremely Low Saturation Voltage
Complimentary Type -
Partmarking Detail -
FCX789A
688
E
C
B
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Peak Pulse Current **
Continuous Collector Current
Power Dissipation at T
amb
=25擄C
Operating and Storage Temperature Range
SYMBOL
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
CM
I
C
P
tot
T
j
:T
stg
VALUE
12
12
5
10
3
1 鈥?/div>
2 鈥?/div>
-55 to +150
UNIT
V
V
V
A
A
W
W
擄C
鈥?recommended P
tot
calculated using FR4 measuring 15x15x0.6mm
鈥?Maximum power dissipation is calculated assuming that the device is mounted on FR4
substrate measuring 40x40x0.6mm and using comparable measurement methods adopted by
other suppliers.
**Measured under pulsed conditions. Pulse width=300碌s. Duty cycle
鈮?/div>
2%
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    120V NPN SILICON HIGH VOLTAGE DARLINGTON TRANSISTOR
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    120V NPN SILICON HIGH VOLTAGE DARLINGTON TRANSISTOR
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    NPN SILICON POWER (SWITCHING) TRANSISTOR
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    Switching Transistor
    KEXIN [Gua...
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    NPN SILICON POWER (SWITCHING) TRANSISTOR
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    NPN Silicon Power Switching Transistor
    KEXIN [Gua...
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    NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
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    NPN Silicon Planar Medium Power High Voltage Transistor
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