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FCX495_07 Datasheet

  • FCX495_07

  • SOT89 NPN silicon planar high voltage transistor

  • 276.23KB

  • 6頁(yè)

  • ZETEX

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FCX495
SOT89 NPN silicon planar high voltage transistor
Features
鈥?/div>
鈥?/div>
150 Volt V
CEO
1 Amp continuous current
E
C
C
B
Pinout - top view
Device marking
N95
Absolute maximum ratings
Parameter
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Continuous collector current
Peak pulse current
Base current
Power dissipation at T
amb
= 25擄C
Operating and storage temperature range
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
tot
T
j
:T
stg
Value
170
150
5
1
2
200
1
-65 to +150
Unit
V
V
V
A
A
mA
W
擄C
Electrical characteristics (at T
amb
= 25擄C)
Parameter
Breakdown voltages
Symbol
V
(BR)CBO
V
CEO(sus)
V
(BR)EBO
I
CBO
, I
CES
I
EBO
V
CE(sat)
V
BE(sat)
Base-emitter turn on voltage
Static forward current transfer
ratio
V
BE(on)
h
FE
100
100
50
10
Transition frequency
Collector-base breakdown voltage
f
T
C
obo
100
10
2%
Min.
170
150
5
Max.
Unit
V
V
V
nA
nA
V
V
V
V
Conditions
I
C
=100碌A(chǔ)
I
C
=10mA
(*)
I
E
=100碌A(chǔ)
V
CB
=150V, V
CE
=150V
V
EB
=4V
I
C
=250mA, I
B
=25mA
(*)
I
C
=500mA, I
B
=50mA
(*)
I
C
=500mA, I
B
=50mA
(*)
I
C
=500mA, V
CE
=10V
(*)
I
C
=1mA, V
CE
=10V
I
C
=250mA, V
CE
=10V
(*)
I
C
=500mA, V
CE
=10V
(*)
I
C
=1A, V
CE
=10V
(*)
I
C
=50mA, V
CE
=10V
f=100MHz
V
CB
=10V, f=1MHz
Collector cut-off currents
Emitter cut-off current
Emitter saturation voltages
100
100
0.2
0.3
1.0
1.0
300
MHz
pF
NOTES:
(*) Measured under pulsed conditions. Pulse width = 300 s. Duty cycle
Issue 4 - May 2007
漏 Zetex Semiconductors plc 2007
1
www.zetex.com

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    NPN SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
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    NPN Silicon Planar High Voltage Transistor
    KEXIN [Gua...
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    NPN SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
    ZETEX [Zet...
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    NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR
    ZETEX
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    Medium Power Transistor
    KEXIN [Gua...
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