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FCH20B10 Datasheet

  • FCH20B10

  • Schottky Barrier Diode

  • 6頁(yè)

  • NIEC

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SBD
T y p e :
FCH20B10
FCH20B10
OUTLINE DRAWING
FEATURES
*TO-220AB Case
*Fully Molded
*Dual Diodes 鈥?Cathode Common
*Low Forward Voltage Drop
*High Surge Capability
*Tj=150
擄C
operation
Maximum Ratings
Rating
Repetitive Peak Reverse Voltage
Average Rectified Output Current
RMS Forward Current
Surge Forward Current
Operating JunctionTemperature Range
Storage Temperature Range
Mounting torque
Approx Net Weight:
1.75g
Symbol
V
RRM
I
O
I
F(RMS)
I
FSM
T
jw
T
stg
Ftor
Symbol
I
RM
180
20
FCH20B10
100
50 Hz Full Sine Wave
Tc=105擄C
Resistive Load
22.2
50Hz Full Sine Wave ,1cycle
Non-repetitive
-40 to +150
-40 to +150
recommended torque = 0.5
Conditions
Min.
-
-
-
-
Typ. Max.
-
-
-
-
1
0.91
2.3
1.5
Unit
V
A
A
A
擄C
擄C
N
鈥?/div>
m
Unit
mA
V
擄C
/W
擄C
/W
Electrical
鈥?/div>
Thermal Characteristics
Characteristics
Peak Reverse Current
Peak Forward Voltage
Thermal Resistance
Tj= 25擄C, V
RM
= V
RRM
per Arm
Tj= 25擄C, I
FM
= 10 A
V
FM
per Arm
Rth(j-c) Junction to Case
Rth(c-f) Cace to Fin

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