FCH023N65S3L4 產(chǎn)品屬性

• 現(xiàn)有數(shù)量

  0現(xiàn)貨

• 價格

  1 : ￥188.57000管件

• 系列

  SuperFET? III

• 包裝

  管件

• 產(chǎn)品狀態(tài)

  不適用于新設計

• FET 類型

  N 通道

• 技術

  MOSFET（金屬氧化物）

• 漏源電壓（Vdss）

  650 V

• 25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)

  75A（Tc）

• 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）

  10V

• 不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）

  23 毫歐 @ 37.5A，10V

• 不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）

  4.5V @ 7.5mA

• 不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）

  222 nC @ 10 V

• Vgs（最大值）

  ±30V

• 不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）

  7160 pF @ 400 V

• FET 功能

  -

• 功率耗散（最大值）

  595W（Tc）

• 工作溫度

  -55°C ~ 150°C（TJ）

• 安裝類型

  通孔

• 供應商器件封裝

  TO-247-4

• 封裝/外殼

  TO-247-4