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IC Datasheet頻道、中國IC資料網(wǎng)

EM6M2T2R Datasheet

IC型號：
EM6M2T2R
PDF描述：
MOSFET N/P-CH 20V 0.2A EMT6
文件大?。?/label>
1082.00KB
PDF頁數(shù)：
8頁

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上傳產(chǎn)品規(guī)格書

EM6M2T2R 產(chǎn)品屬性

標準包裝
8,000
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 陣列
系列
-
FET 型
N 和 P 溝道
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
200mA
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
1 歐姆 @ 200mA，4V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
1V @ 1mA
閘電荷(Qg) @ Vgs
-
輸入電容 (Ciss) @ Vds
25pF @ 10V
功率 - 最大
150mW
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
SOT-563，SOT-666
供應商設備封裝
EMT6
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
EM6M2T2R-NDEM6M2T2RTR

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型號

版本

描述

廠商

下載
EM6M1

英文版

EM6M1
EM6M1T2R

英文版

MOSFET N/P-CH 30V/20V EMT6

EM6M1T2R
EM6M2T2R

英文版

MOSFET N/P-CH 20V 0.2A EMT6

EM6M2T2R

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