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ECQ10A04 Datasheet

  • ECQ10A04

  • Schottky barrier Diode

  • 112.29KB

  • 6頁(yè)

  • NIEC

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1
錛愶肌 錛旓紣錛?/div>
SBD
Type
錛?/div>
ECQ10A04
鈻燨UTLINE DRAWING
妲嬮€?/div>
錛?銈楓儳銉冦儓銈兗銉愩儶銈儉銈ゃ偑銉箋儔
(SBD)
Construction:
Schottky barrier Diode
銈拷½銉箋儔 銈熾儮銉沖瀷
鐢ㄩ€?/div>
錛氶珮鍛ㄦ嘗鏁存祦鐢?/div>
Application : High Frequency Rectification
鈻犳渶澶у畾鏍?/ Maximum Ratings
Rating
銇忋倞榪斻仐銉斻兗銈€嗛浕鍦?/div>
Repetitive Peak Reverse Voltage
騫沖潎鏁存祦闆繪祦
Average Rectified
Symbol
V
RRM
10.0 Tc=105鈩?/div>
Output Current
I
O
2.0 Ta=23鈩?/div>
I
F(RMS)
I
FSM
Tjw
Tstg
100
Approx Net Weight:0.35g
ECQ10A04
40
50 Hz,姝ｅ雞鍏ㄦ嘗閫氶浕銆佹姷鎶楄矤鑽?/div>
Full Sine Wave ResistiveLoad
鍚屼笂 鍩虹洡瀹熻鏅?/div>
P.C.Board mounted*
11.1
50 Hz 姝ｅ雞鍏ㄦ嘗, 1銈點(diǎn)偆銈儷, 闈炪亸銈婅繑銇?/div>
Full Sine Wave,1cycle,Non-repetitive
- 40 鈭?+ 150
- 40 鈭?+ 150
Unit
V
A
瀹熷姽闋嗛浕嫻?/div>
RMS Forward Current
銈點(diǎn)兗銈擱爢闆繪祦
Surge Forward Current
鍕曪拷½錕芥帴鍚堟俯搴︾瘎鍥?/div>
Operating JunctionTemperature Range
淇濆瓨娓╁害綃勫洸
Storage Temperature Range
A
A
鈩?/div>
鈩?/div>
鈻犻浕姘楃殑銉?nèi)潌辩殑鐗规€?/ Electrical 錕?frac12;錕?Thermal Characteristics
Characteristics
銉斻兗銈€嗛浕嫻?/div>
Peak Reverse Current
銉斻兗銈爢闆誨湩
Peak Forward Voltage
鐔辨姷鎶?/div>
Thermal
Symbol
I
RM
V
FM
Rth(j-c)
Conditions
Tj=25鈩?V
RM
=V
RRM
per Diode
Tj=25鈩?I
FM
= 5A per Diode
Min
-
-
-
Typ
-
-
-
Max.
3
0.55
4
鈩?W
80
Unit
mA
V
Resistance
鎺ュ悎閮ㄣ兓銈便兗銈歸枔
Junction to Case
鎺ュ悎閮ㄣ兓鍛ㄥ洸闁擄紙鍩虹洡瀹熻鏅傦級(jí)
Rth(j-a) Junction to Ambent
(with P.C.Board mounted*)
*錛歅rint land 20x20

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