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ECH06A20-F Datasheet

  • ECH06A20-F

  • Schottky Barrier Diode

  • 6頁(yè)

  • NIEC

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6A 200V Cathode Common
SBD
Type :
ECH06A20-
ECH06A20-F
OUTLINE DRAWING
For High Frequency Rectification
FEATURES
* High VRM SBD
* Low Forward Voltage Drop and Low Noise
* Fully Molded Isolation
* Dual Diodes Cathode Common
Maximum Ratings
Rating
Repetitive Peak Reverse Voltage
Average Rectified Output Current
Symbol
V
RRM
6.0
I
O
1.0
RMS Forward Current
Surge Forward Current
Operating JunctionTemperature Range
Storage Temperature Range
I
F(RMS)
I
FSM
Tjw
Tstg
60
Approx Net Weight:0.30g
ECH06A20-F
200
50 Hz,Full Sine Wave
Tc=116擄C
Resistive Load
50 Hz,Full Sine Wave
Ta=30擄C Resistive Load
P.C.Board mounted *
6.66
50 Hz Full Sine Wave,1cycle
Non-repetitive
- 40 to + 150
- 40 to + 150
Unit
V
A
A
A
擄C
擄C
Electrical
鈥?/div>
Thermal Characteristics
Characteristics
Peak Reverse Current
Peak Forward Voltage
Thermal Resistance
*: Print Land 20x20
Symbol
Conditions
Min.
-
-
-
-
Typ.
-
-
-
-
Max. Unit
200
0.90
5
80
碌A(chǔ)
V
擄C/W
I
RM
Tj=25擄C,V
RM
=V
RRM
per Diode
V
FM
Tj=25擄C, I
FM
=3A per Diode
Rth(j-c) Junction to Case
Junction to Ambent
Rth(j-a)
With P.C.Board mounted *

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