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EC21QS10 Datasheet

  • EC21QS10

  • Schottky Barrier Diode

  • 60.96KB

  • 6頁(yè)

  • NIEC

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上傳產(chǎn)品規(guī)格書(shū)

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SBD
Type
:
EC21QS10
OUTLINE DRAWING
FEATURES
FEATURES
* Miniature Size,Surface Mount Device
* Low Forward Voltage Drop
* Low Power Loss,High Efficiency
* High Surge Capability
* 30 Volts through 100Volts Types Available
* Packaged in 12mm Tape and Reel
* Not Rolling During Assembly
Maximum Ratings
Rating
Repetitive Peak Reverse Voltage
Average Rectified Output Current
RMS Forward Current
Surge Forward Current
Operating JunctionTemperature Range
Storage Temperature Range
Approx Net Weight:0.06g
Symbol
V
RRM
I
o
I
F(RMS)
I
FSM
T
jw
T
stg
50
1.3
2.0
EC21QS10
100
Ta=25
擄C
*1
Tl=106
擄C
50Hz Half Sine
Wave Resistive Load
Unit
V
A
A
A
擄C
擄C
3.14
50Hz Half Sine Wave,1cycle
Non-repetitive
-40 to +150
-40 to +150
Electrical
鈥?/div>
Thermal Characteristics
Characteristics
Symbol
Conditions
Min. Typ. Max.
-
-
-
-
-
-
-
-
1
0.85
108
23
Unit
mA
V
擄C
/W
Peak Reverse Current
I
RM
Tj= 25擄C, V
RM
= V
RRM
Peak Forward Voltage
V
FM
Tj= 25擄C, I
FM
= 2.0A
Thermal Junction to Ambient Rth
(j-a)
Alumina Substrate Mounted *1
Resistance Junction to Lead
-
Rth
(j-l)
*1 Alumina Substrate Mounted (Soldering Lands=2x2mm,Both Sides)
(Tl: Lead Temperature)

EC21QS10 產(chǎn)品屬性

  • 0現(xiàn)貨

  • 停產(chǎn)

  • -

  • 卷帶（TR）

  • 停產(chǎn)

  • 肖特基

  • 100 V

  • 2A

  • 850 mV @ 2 A

  • 快速恢復(fù) =< 500ns，> 200mA（Io）

  • -

  • 1 mA @ 100 V

  • -

  • 表面貼裝型

  • DO-214AC，SMA

  • DO-214AC（SMA）

  • -40°C ~ 150°C

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