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EA30QS03L Datasheet

  • EA30QS03L

  • Schottky Barrier Diode

  • 6頁(yè)

  • NIEC

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SBD
Type :
EA30QS03L
EA30QS03L
OUTLINE DRAWING
FEATURES
* TO-251AA Case
* Extremely Low Forward Voltage drop
* Low Power Loss, High Ecciciency
* High Surge Capability
Maximum Ratings
Rating
Repetitive Peak Reverse Voltage
Average Rectified
Output Current
RMS Forward Current
Surge Forward Current
Operating JunctionTemperature Range
Storage Temperature Range
Characteristics
Peak Reverse Current
Peak Forward Voltage
Junction to Ambient
Thermal
Resistance
Junction to Case
Symbol
V
RRM
I
O
I
F(RMS)
I
FSM
Tjw
Tstg
Symbol
45
1.7
3.0
Approx Net Weight:0.35g
EA30QS03L
30
Ta=32擄C *1 50Hz Half Sine Wave
Resistive Load
Tc=126擄C
4.71
50Hz Half Sine Wave,1cycle,
Non-repetitive
- 40 to + 150
- 40 to + 150
Conditions
Min Typ Max
-
-
-
-
-
-
-
-
3.0
0.45
80
6
Unit
V
A
A
A
擄C
擄C
Unit
mA
V
擄C/W
擄C/W
Electrical
鈥?/div>
Thermal Characteristics
I
RM
Tj=25擄C,V
RM
=V
RRM
V
FM
Tj=25擄C,I
FM
= 3 A
Rth(j-a) P.C.Board mounted *1
Rth(j-c)
-
*1: P.C.Board mounted, Print Land = 20x20 mm

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