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EA30QS03L-F Datasheet

  • EA30QS03L-F

  • Schottky Barrier Diode

  • 6頁

  • NIEC

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SBD
Type :
EA30QS03L-
EA30QS03L-F
30QS03L
OUTLINE DRAWING
FEATURES
* TO-252AA Case, Surface Mounting Device
* Extremely Low Forward Voltage drop
* Low Power Loss, High Efficiency
* High Surge Capability
* Packaged in 16mm Tape and Reel
Maximum Ratings
Rating
Repetitive Peak Reverse Voltage
Average Rectified
Output Current
RMS Forward Current
Surge Forward Current
Operating JunctionTemperature Range
Storage Temperature Range
Characteristics
Peak Reverse Current
Peak Forward Voltage
Junction to Ambient
Thermal
Resistance
Junction to Case
Symbol
V
RRM
I
O
I
F(RMS)
I
FSM
Tjw
Tstg
Symbol
45
1.7
3.0
Approx Net Weight:0.30g
EA30QS03L-F
30
Ta=32擄C *1 50Hz Half Sine Wave
Resistive Load
Tc=126擄C
4.71
50Hz Half Sine Wave,1cycle,
Non-repetitive
- 40 to + 150
- 40 to + 150
Conditions
Min Typ Max
-
-
-
-
-
-
-
-
3.0
0.45
80
6
Unit
V
A
A
A
擄C
擄C
Unit
mA
V
擄C/W
擄C/W
Electrical
鈥?/div>
Thermal Characteristics
I
RM
Tj=25擄C,V
RM
=V
RRM
V
FM
Tj=25擄C,I
FM
= 3 A
Rth(j-a) P.C.Board mounted *1
Rth(j-c)
-
*1: P.C.Board mounted, Print Land = 20x20 mm

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