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DL-100-7-KER Datasheet

  • DL-100-7-KER

  • Position Sensing Photodiodes Special characteristics

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  • ETC

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DL-100-7-KER pin
Position Sensing
Photodiodes
Special characteristics:
dual-axis, duo-lateral PSD
active area 10 x 10 mm
high position resolution and
high linearity
Parameters:
active area
Dark current
at 10 V
Capacitance
at 10 V, 100 kHz
Spectral responsivity
at 633 nm
at 850 nm
Interelectrode resistance
at E = 0 lx
Rise time
at 10 V, 50
鈩?
865 nm
Noise limited resolution
at 632 nm, 0.5 碌W
Position Detection Error
1)
at 632 nm
Breakdown voltage
Package
Operating temperature
Storage temperature
DL-100-7-KER pin
10 x 10 mm
100 mm
2
max. 300 nA
typ. 80 nA
typ. 75 pF
typ. 0,4 A/W
typ. 0,62 A/W
typ. 12 k鈩?/div>
chip surface
Package 21 (SMD with pins)
2.1鹵 0.15
10.16
15.24
0.45
1.0
+0.1
ANODE 1
CATHODE 2
typ. 4 碌s
0.2 碌m
+/- 1%
typ. 30 V
Ceramic with pins
25.4
Chip: DL-100-7
25.0 鹵 0.2
-20 ... +70擄C
-60 ... +100擄C
Active area:
(10 x 10) mm
2
1) measurement conditions:
Spot size: 0,5 mm,
Scan Interval: 1 mm
Wavelength: 633 nm
CATHODE 1
ANODE 2
21.0 鹵 0.2
www.silicon-sensor.com
Version: 02-09-06
www.pacific-sensor.com
6.0鹵 0.5
2.0

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