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DKV6510-12 Datasheet

  • DKV6510-12

  • SILICON HYPERABRUPT VARACTOR DIODE

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  • ASI

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DKV6510-12
SILICON HYPERABRUPT VARACTOR DIODE
DESCRIPTION:
The
ASI DKV6510-12
is an Ion
Implanted Silicon Hyperabrupt Varactor
Diode Designed for Octave Tuning up
to 500 MHz.
FEATURES INCLUDE:
鈥?/div>
Large Tuning Ratio 鈥?/div>
14:1
Typ.
鈥?/div>
High
Q 鈥?700
Typ.
鈥?/div>
Hermetic Glass
DO-7
Package
PACKAGE STYLE DO-7
MAXIMUM RATINGS
I
F
V
R
P
DISS
T
J
T
STG
100 mA
12 V
400 mW @ T
C
= 25
O
C
-55
O
C to +150
O
C
-65
O
C to +200
O
C
NONE
CHARACTERISTICS
SYMBOL
V
BR
I
R
C
T2
C
T10
C
T2
/ C
T10
Q
I
R
= 10
碌A
V
R
= 10 V
V
R
= 2.0 V
V
R
= 10 V
T
C
= 25
O
C
TEST CONDITIONS
MINIMUM
12
TYPICAL
MAXIMUM
100
UNITS
V
碌
A
pF
pF
---
---
f = 1.0 MHz
f = 1.0 MHz
f = 1.0 MHz
f = 1.0 MHz
45
4.0
10.0
200
700
75
7.0
17.0
V
R
= 2 & 10 V
V
R
= 2.0 V
A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.
7525 ETHEL AVENUE
鈥?/div>
NORTH HOLLYWOOD, CA 91605
鈥?/div>
(818) 982-1200
鈥?/div>
FAX (818) 765-300
Specifications are subject to change without notice.
REV. A
1/1

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