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DF10M Datasheet

  • DF10M

  • Bridge Rectifiers

  • 4頁(yè)

  • FAIRCHILD

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DF005M - DF10M
DF005M - DF10M
Features
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鈥?/div>
Surge overload rating: 50 amperes
peak.
Glass passivated junction.
Low leakage.
UL certified, UL #E111753.
DIP
Bridge Rectifiers
Absolute Maximum Ratings*
Symbol
V
RRM
V
RMS
V
R
I
F(AV)
I
FSM
T
stg
T
J
T
A
= 25擄C unless otherwise noted
Parameter
005M
Maximum Repetitive Reverse Voltage
Maximum RMS Bridge Input Voltage
DC Reverse Voltage
(Rated V
R
)
Average Rectified Forward Current,
@ T
A
= 40擄C
Non-repetitive Peak Forward Surge Current
8.3 ms Single Half-Sine-Wave
Storage Temperature Range
Operating Junction Temperature
50
35
50
01M
100
70
100
02M
200
140
200
Value
04M
400
280
400
1.5
50
-55 to +150
-55 to +150
06M
600
420
600
08M
800
560
800
10M
1000
700
1000
Units
V
V
V
A
A
擄C
擄C
*
These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.
Thermal Characteristics
Symbol
P
D
R
胃JA
Parameter
Power Dissipation
Thermal Resistance, Junction to Ambient,*
per leg
Value
3.1
40
Units
W
擄C/W
*
Device mounted on PCB with 0.5 x 0.5" (13 x 13 mm).
Electrical Characteristics
Symbol
V
F
I
R
T
A
= 25擄C unless otherwise noted
Parameter
Forward Voltage, per bridge @ 1.0 A
Reverse Current, total bridge @ rated V
R
T
A
= 25擄C
T
A
= 125擄C
2
I t rating for fusing
t < 8.35 ms
Total Capacitance, per leg
V
R
= 4.0 V, f = 1.0 MHz
Device
1.1
5.0
500
10
25
Units
V
碌A(chǔ)
碌A(chǔ)
A
2
s
pF
C
T
錚?001
Fairchild Semiconductor Corporation
DF005M-DF10M, Rev. C

DF10M 產(chǎn)品屬性

  • 50

  • 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

  • 橋式整流器

  • -

  • 1000V

  • 1.5A

  • 單相

  • 標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns，> 200mA（Io）

  • -

  • 通孔

  • 4-EDIP（0.300"，7.62mm）

  • 管件

  • 4-DIP

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  • 型號(hào)
    版本
    描述
    廠商
    下載
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    Dated : 19/09/2016 TL Rev: 02 TOP DYNAMIC DF005M THRU DF10...
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