DAN 208 / DAP 208 (1.2 W)
Silicon-Twin Diodes
Center tap
Silizium-Doppeldioden
Mittelpunktschaltung
Nominal power dissipation
Nenn-Verlustleistung
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
3 Pin-Plastic case
3 Pin-Kunststoffgeh盲use
Weight approx. 鈥?Gewicht ca.
Dimensions / Ma脽e in mm
1.2 W
150 V
8.5 x 3.5 x 6.6 [mm]
0.6 g
see page 22
s. Seite 22
Standard packaging: bulk
Standard Lieferform: lose im Karton
"DAP": common anodes / gemeinsame Anoden
"DAN": common cathodes / gemeinsame Kathoden
Maximum ratings
Type
Typ
DAN 208
DAP 208
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
V
RRM
[V]
100
100
T
A
= 25
/
C
Grenzwerte
Surge peak reverse voltage
Sto脽spitzensperrspannung
V
RSM
[V]
150
150
Max. average forward rectified current, R-load,
for one diode operation only
for simultaneous operation
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last,
f眉r eine einzelne Diode
bei gleichzeitigem Betrieb
Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave
Sto脽strom f眉r eine 50 Hz Sinus-Halbwelle
I
FAV
I
FAV
I
FAV
I
FAV
I
FSM
1.0 A
1
)
2.0 A
1
)
1.0 A
1
)
2.0 A
1
)
10 A
T
U
= 25
/
C
T
A
= 25
/
C
1
) Leads kept at ambient temperature at a distance of 3 mm from case
Anschlu脽dr盲hte in 3 mm Abstand von Geh盲use auf Umgebungstemperatur gehalten
28.02.2002
354
1
2
