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D1203UK Datasheet

  • D1203UK

  • METAL GATE RF SILICON FET

  • 2頁(yè)

  • SEME-LAB

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TetraFET
D1203UK
METAL GATE RF SILICON FET
MECHANICAL DATA
A
B
C
1
2
D
E
4
M
3
GOLD METALLISED
MULTI-PURPOSE SILICON
DMOS RF FET
30W 鈥?12.5V 鈥?500MHz
SINGLE ENDED
FEATURES
鈥?SIMPLIFIED AMPLIFIER DESIGN
F
G
H
K
I
J
鈥?SUITABLE FOR BROAD BAND APPLICATIONS
DRAIN
GATE
DM
PIN 1
PIN 3
SOURCE
SOURCE
DIM
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
M
mm
24.76
18.42
45擄
6.35
3.17 Dia
5.71
12.7 Dia
6.60
0.13
4.32
3.17
26.16
Tol.
0.13
0.13
5擄
0.13
0.13
0.13
0.13
REF
0.02
0.13
0.13
0.25
PIN 2
PIN 4
Inches
0.975
0.725
45擄
0.25
0.125 Dia
0.225
0.500 Dia
0.260
0.005
0.170
0.125
1.03
鈥?LOW C
rss
鈥?USEFUL P
O
AT 1GHz
鈥?LOW NOISE
鈥?HIGH GAIN 鈥?10 dB MINIMUM
Tol.
0.005
0.005
5擄
0.005
0.005
0.005
0.005
REF
0.001
0.005
0.005
0.010
APPLICATIONS
鈥?/div>
HF/VHF/UHF COMMUNICATIONS
from 1 MHz to 1 GHz
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T
case
= 25擄C unless otherwise stated)
P
D
BV
DSS
BV
GSS
I
D(sat)
T
stg
T
j
Power Dissipation
Drain 鈥?Source Breakdown Voltage
Gate 鈥?Source Breakdown Voltage
Drain Current
Storage Temperature
Maximum Operating Junction Temperature
117W
40V
鹵20V
15A
鈥?5 to 150擄C
200擄C
Semelab plc.
Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612.
Website:
http://www.semelab.co.uk
E-mail:
sales@semelab.co.uk
Prelim. 10/99

D1203UK 產(chǎn)品屬性

  • 180 pF V @ 0

  • 螺絲

  • 6.35mm

  • DM

  • 24.76 x 6.35 x 6.6mm

  • 4

  • 117 W

  • ±20 V

  • 40 V

  • 30 A

  • +200 °C

  • 1

  • 射頻 MOSFET

  • 增強(qiáng)

  • N

  • 雙源、單

  • 24.76mm

  • 6.6mm

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    版本
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    廠商
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