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D1002UK Datasheet

  • D1002UK

  • METAL GATE RF SILICON FET

  • 4頁

  • SEME-LAB

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TetraFET
D1002UK
METAL GATE RF SILICON FET
MECHANICAL DATA
A
B
C
1
2
D
4
M
3
E
F
GOLD METALLISED
MULTI-PURPOSE SILICON
DMOS RF FET
40W 鈥?28V 鈥?175MHz
SINGLE ENDED
FEATURES
鈥?SIMPLIFIED AMPLIFIER DESIGN
G
H
K
I
J
鈥?SUITABLE FOR BROAD BAND APPLICATIONS
鈥?LOW C
rss
鈥?SIMPLE BIAS CIRCUITS
Tol.
0.005
0.005
5擄
0.005
0.005
0.005
0.005
REF
0.001
0.005
0.005
0.010
DA
PIN 1
PIN 3
SOURCE
SOURCE
DIM
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
M
mm
24.76
18.42
45擄
6.35
3.17
5.71
9.52
6.60
0.13
4.32
2.54
20.32
PIN 2
PIN 4
Tol.
0.13
0.13
5擄
0.13
0.13
0.13
0.13
REF
0.02
0.13
0.13
0.25
DRAIN
GATE
Inches
0.975
0.725
45擄
0.25
0.125 DIA
0.225
0.375
0.260
0.005
0.170
0.100
0.800
鈥?LOW NOISE
鈥?HIGH GAIN 鈥?16 dB MINIMUM
APPLICATIONS
鈥?/div>
HF/VHF/UHF COMMUNICATIONS
from 1 MHz to 175 MHz
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T
case
= 25擄C unless otherwise stated)
P
D
BV
DSS
BV
GSS
I
D(sat)
T
stg
T
j
Power Dissipation
Drain 鈥?Source Breakdown Voltage
Gate 鈥?Source Breakdown Voltage
Drain Current
Storage Temperature
Maximum Operating Junction Temperature
87W
70V
鹵20V
10A
鈥?5 to 150擄C
200擄C
Semelab plc.
Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612.
Website:
http://www.semelab.co.uk
E-mail:
sales@semelab.co.uk
3/99

D1002UK 產品屬性

  • 120 pF V @ 28

  • 螺絲

  • 9.52mm

  • DA

  • 24.76 x 9.52 x 6.6mm

  • 4

  • 87 W

  • ±20 V

  • 70 V

  • 10 A

  • +200 °C

  • 1

  • 射頻 MOSFET

  • 增強

  • N

  • 雙源、單

  • 24.76mm

  • 6.6mm

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    版本
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    廠商
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