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CZT2907A Datasheet

  • CZT2907A

  • PNP SILICON TRANSISTOR

  • 2頁

  • CENTRAL

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CZT2907A
PNP SILICON TRANSISTOR
Central
DESCRIPTION:
TM
Semiconductor Corp.
The
CENTRAL
SEMICONDUCTOR
CZT2907A type is an PNP silicon transistor
manufactured by the epitaxial planar process,
epoxy molded in a surface mount package,
designed for general purpose amplifier and
switching applications.
SOT-223 CASE
MAXIMUM RATINGS
(TA=25
o
C)
SYMBOL
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PD
TJ,Tstg
JA
UNITS
V
V
V
mA
W
o
C
o
C/W
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current
Power Dissipation
Operating and Storage
Junction Temperature
Thermal Resistance
60
60
5.0
600
2.0
-65 to +150
62.5
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TA=25
o
C unless otherwise noted)
SYMBOL
ICBO
ICBO
ICEV
BVCBO
BVCEO
BVEBO
VCE(SAT)
VCE(SAT)
VBE(SAT)
VBE(SAT)
hFE
hFE
TEST CONDITIONS
VCB=50V
VCB=50V, TA=125
o
C
VCE=30V, VBE=0.5V
IC=10碌A(chǔ)
IC=10mA
IE=10碌A(chǔ)
IC=150mA, IB=15mA
IC=500mA, IB=50mA
IC=150mA, IB=15mA
IC=500mA, IB=50mA
VCE=10V, IC=0.1mA
VCE=10V, IC=1.0mA
MIN
MAX
10
10
50
UNITS
nA
碌A(chǔ)
nA
V
V
V
V
V
V
V
60
60
5.0
0.4
1.6
1.3
2.6
75
100
302

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