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CEF02N6 Datasheet

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CEF02N6
Sep. 2002
N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
FEATURES
600V , 1.5A , R
DS(ON)
=5
鈩?/div>
@V
GS
=10V.
Super high dense cell design for extremely low R
DS(ON)
.
High power and current handling capability.
TO-220F full-pak for through hole
D
6
G
G
D
S
S
TO-220F
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tc=25 C unless otherwise noted)
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Drain Current-Continuous
-Pulsed
Drain-Source Diode Forward Current
Maximum Power Dissipation
@Tc=25 C
Derate above 25 C
Operating and Storage Temperautre Range
Symbol
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
STG
Limit
600
30
1.5
4.5
4.5
29
0.23
-65 to 150
Unit
V
V
A
A
A
W
W/ C
C
THERMAL CHARACTERISTICS
Thermal Resistance, Junction-to-Case
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
R
JC
R
JA
6-117
4.3
65
C/W
C/W

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    Chino-Excel Technology [N-Channel Enhancement Mode Field Ef...
    CET
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    600V N Channel MOS
    ETC
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    Chino-Excel Technology [N-Channel Enhancement Mode Field Ef...
    CET
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    N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
    CET
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    N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transist...
    CET
  • 英文版
    N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transist...
    CET [Chino...
  • 英文版
    Chino-Excel Technology [N-Channel Enhancement Mode Field Ef...
    CET
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    500V N Channel MOS
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    800V N Channel MOS
    ETC
  • 英文版
    Chino-Excel Technology [N-Channel Logic Level Enhancement M...
    CET
  • 英文版
    500V N Channel MOS
    ETC
  • 英文版
    Chino-Excel Technology [N-Channel Logic Level Enhancement M...
    CET
  • 英文版
    N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transist...
    CET
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