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CED4279 Datasheet

  • CED4279

  • Chino-Excel Technology [Dual Enhancement Mode Field Effect ...

  • 685.38KB

  • CET

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Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor (N and P Channel)
CED4279/CEU4279
D1/D2
FEATURES
40V , 14A , R
DS(ON)
= 32m鈩?@V
GS
= 10V.
R
DS(ON)
= 46m鈩?@V
GS
= 4.5V.
-40V , -9A , R
DS(ON)
= 72m鈩?@V
GS
= 10V.
R
DS(ON)
= 110m鈩?@V
GS
= 4.5V.
Super high dense cell design for extremely low R
DS(ON)
.
High power and current handing capability.
Lead free product is acquired.
TO-252-4L package.
S1
G1
S2
G2
CEU SERIES
TO-252-4L
D1/D2
G1
G2
S1
S2
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Drain Current-Continuous
Drain Current-Pulsed
a
e
Tc = 25 C unless otherwise noted
Symbol
V
DS
V
GS
I
D
e
N-Channel
40
P-Channel
40
Units
V
V
A
A
W
W/ C
C
鹵
20
14
56
10.4
0.08
-55 to 150
鹵
20
-9
-36
I
DM
P
D
T
J
,T
stg
Maximum Power Dissipation @ T
C
= 25 C
- Derate above 25 C
Operating and Store Temperature Range
Thermal Characteristics
Parameter
Thermal Resistance, Junction-to-Case
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
Symbol
R
胃JC
R
胃JA
Limit
12
50
Units
C/W
C/W
Details are subject to change without notice .
1
Rev 2. 2007.Jan
http://www.cetsemi.com

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