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BYW86 Datasheet

  • BYW86

  • Silicon Mesa Rectifiers

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  • VISHAY   VISHAY

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BYW82...BYW86
Vishay Telefunken
Silicon Mesa Rectifiers
Features
D
D
D
D
D
D
Glass passivated junction
Hermetically sealed package
Controlled avalanche characteristics
Low reverse current
High surge current loading
Electrically equivalent diodes:
BYW82 鈥?1N5624 BYW83 鈥?1N5625
BYW84 鈥?1N5626 BYW85 鈥?1N5627
94 9588
Applications
Rectifier, general purpose
Absolute Maximum Ratings
T
j
= 25
_
C
Parameter
Reverse voltage
g
=Repetitive peak reverse voltage
Test Conditions
Type
BYW82
BYW83
BYW84
BYW85
BYW86
Symbol
V
R
=V
RRM
V
R
=V
RRM
V
R
=V
RRM
V
R
=V
RRM
V
R
=V
RRM
I
FSM
I
FRM
I
FAV
P
R
E
R
i
2
*t
T
j
=T
stg
Value
200
400
600
800
1000
100
18
3
1000
20
Unit
V
V
V
V
V
A
A
A
W
mJ
A
2
*s
擄
C
Peak forward surge current
Repetitive peak forward current
Average forward current
Pulse avalanche peak power
Pulse energy in avalanche mode,
non repetitive
(inductive load switch off)
i
2
*t鈥搑ating
Junction and storage
temperature range
t
p
=10ms, half sinewave
T
amb
65
擄
C
t
p
=20
m
s, half sinewave,
T
j
=175
擄
C
I
(BR)R
=1A, T
j
=175
擄
C
x
40
鈥?5...+175
Maximum Thermal Resistance
T
j
= 25
_
C
Parameter
Junction ambient
Test Conditions
l=10mm, T
L
=constant
on PC board with spacing 37.5mm
Symbol
R
thJA
R
thJA
Value
25
70
Unit
K/W
K/W
Document Number 86051
Rev. 2, 24-Jun-98
www.vishay.de
鈥?/div>
FaxBack +1-408-970-5600
1 (4)

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    RECTIFIERS
    MICROSEMI
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    HIGH EFFICIENCY FAST RECOVERY RECTIFIER DIODES
    STMICROELECTRONICS
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    HIGH EFFICIENCY FAST RECOVERY RECTIFIER DIODES
    STMICROELECTRON...
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    HIGH EFFICIENCY FAST RECOVERY RECTIFIER DIODES
    STMICROELECTRON...
  • 英文版
    RECTIFIERS
    MICROSEMI ...
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    HIGH EFFICIENCY FAST RECOVERY RECTIFIER DIODES
    STMICROELECTRONICS
  • 英文版
    HIGH EFFICIENCY FAST RECOVERY RECTIFIER DIODES
    STMICROELECTRON...
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    VISAY [Vis...
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    HIGH EFFICIENCY FAST RECOVERY RECTIFIER DIODES
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    HIGH EFFICIENCY FAST RECOVERY RECTIFIER DIODES
    STMICROELECTRON...
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    SWITCHMODE Power Rectifier
    ETC

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