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BYV118F Datasheet

  • BYV118F

  • Rectifier diodes Schottky barrier

  • 46.60KB

  • 6頁

  • PHILIPS

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Philips Semiconductors
Product specification
Rectifier diodes
Schottky barrier
FEATURES
鈥?Low forward volt drop
鈥?Fast switching
鈥?Reverse surge capability
鈥?High thermal cycling performance
鈥?Isolated package
BYV118F, BYV118X series
SYMBOL
QUICK REFERENCE DATA
V
R
= 35 V/ 40 V/ 45 V
I
O(AV)
= 10 A
V
F
鈮?/div>
0.6 V
a1
1
k 2
a2
3
GENERAL DESCRIPTION
Dual, common cathode schottky rectifier diodes in a plastic envelope with electrically isolated mounting tab. Intended
for use as output rectifiers in low voltage, high frequency switched mode power supplies.
The BYV118F series is supplied in the SOT186 package.
The BYV118X series is supplied in the SOT186A package.
PINNING
PIN
1
2
3
tab
DESCRIPTION
anode 1 (a)
cathode (k)
anode 2 (a)
isolated
SOT186
case
SOT186A
case
1 2 3
1 2 3
LIMITING VALUES
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134)
SYMBOL PARAMETER
CONDITIONS
BYV118F-
BYV118X-
V
RRM
V
RWM
V
R
I
O(AV)
I
FRM
I
FSM
Peak repetitive reverse
voltage
Working peak reverse
voltage
Continuous reverse voltage
Average rectified output
current (both diodes
conducting)
Repetitive peak forward
current per diode
Non-repetitive peak forward
current per diode
Peak repetitive reverse
surge current per diode
Operating junction
temperature
Storage temperature
-
-
T
hs
鈮?/div>
97 藲C
square wave;
= 0.5;
T
hs
鈮?/div>
107 藲C
square wave;
= 0.5;
T
hs
鈮?/div>
107 藲C
t = 10 ms
t = 8.3 ms
sinusoidal; T
j
= 125 藲C prior to
surge; with reapplied V
RRM(max)
pulse width and repetition rate
limited by T
j max
-
-
-
-
-
-
-
- 65
MIN.
35
35
35
35
35
MAX.
40
40
40
40
40
10
10
100
110
1
150
175
45
45
45
45
45
UNIT
V
V
V
A
A
A
A
A
藲C
藲C
I
RRM
T
j
T
stg
May 1998
1
Rev 1.100

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    Schottky barrier diodes
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    Schottky barrier diodes
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    Fast Silicon Mesa Rectifiers
    VISHAY
  • 英文版
    FAST RECOVERY RECTIFIER
    BILIN
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    Fast Silicon Mesa Rectifiers
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    FAST RECOVERY RECTIFIER
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