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BYT12P Datasheet

  • BYT12P

  • Fast Recovery Silicon Power Rectifier

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BYT12P/1000A
Vishay Telefunken
Fast Recovery Silicon Power Rectifier
Features
D
D
D
D
D
D
D
D
Multiple diffusion
Low switch on power losses
Good soft recovery behaviour
Fast forward recovery time
Fast reverse recovery time
Low reverse current
Very low turn on transient peak voltage
Very good reverse current stability at high tem-
perature
14282
D
Low thermal resistance
Applications
Fast switched mode power supplies
Freewheeling diodes and snubber diodes in motor
control circuits
Absolute Maximum Ratings
T
j
= 25
_
C
Parameter
Reverse voltage
=Repetitive peak reverse voltage
Peak forward surge current
Repetitive peak forward current
Average forward current
Junction and storage
temperature range
Test Conditions
Type
Symbol
V
R
=V
RRM
I
FSM
I
FRM
I
FAV
T
j
=T
stg
Value
1000
150
25
12
鈥?0...+150
Unit
V
A
A
A
擄
C
t
p
=10ms,
half sinewave
Maximum Thermal Resistance
T
j
= 25
_
C
Parameter
Junction case
Junction ambient
Test Conditions
Symbol
R
thJC
R
thJA
Value
2.0
85
Unit
K/W
K/W
Document Number 86021
Rev. 2, 24-Jun-98
www.vishay.de
鈥?/div>
FaxBack +1-408-970-5600
1 (5)

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    Fast Recovery Silicon Power Rectifier
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    Ultra Fast Recovery Silicon Power Rectifier
    VISHAY
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    Ultra Fast Recovery Silicon Power Rectifier
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    ETC
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    STMicroelectronics
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    FAST RECOVERY RECTIFIER DIODE
    STMICROELECTRONICS
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    STMICROELECTRON...
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    Fast Recovery Silicon Power Rectifier
    VISHAY
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    Fast Recovery Silicon Power Rectifier
    VISAY [Vis...
  • 英文版
    CURRENT: 1.0 A VOLTAGE RANGE: 600 - 1000V HIGH EFFICIEN...
    SUNMATE/森美特
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    STMICROELECTRONICS
  • 英文版
    TAYCHIPST(泰迪...
  • 英文版
    FAST RECOVERY RECTIFIER DIODES
    STMICROELECTRON...

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