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BYS11-90 Datasheet

  • BYS11-90

  • Schottky Barrier Rectifier

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  • VISHAY   VISHAY

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BYS11鈥?0
Vishay
Semiconductors
Schottky Barrier Rectifier
Features
D
D
D
D
D
High efficiency
Low power losses
Very low switching losses
Low reverse current
High surge capability
15 811
Applications
Polarity protection
Low voltage, high frequency rectifiers
Absolute Maximum Ratings
T
j
= 25
_
C
Parameter
Reverse voltage=
Repetitive peak reverse voltage
Peak forward surge current
Average forward current
Junction and storage
temperature range
Test Conditions
Type
Symbol
V
R
=
V
RRM
I
FSM
I
FAV
T
j
=T
stg
Value
90
30
1.5
鈥?5...+150
Unit
V
A
A
t
p
=10ms, half sinewave
擄
C
Maximum Thermal Resistance
T
j
= 25
_
C
Parameter
Junction lead
Test Conditions
T
L
=constant
mounted on epoxy鈥揼lass hard tissue
Junction ambient mounted on epoxy鈥揼lass hard tissue, 50mm
2
35
m
m Cu
mounted on Al鈥搊xid鈥揷eramic (Al
2
O
3
), 50mm
2
35
m
m Cu
Symbol
R
thJL
R
thJA
Value
25
150
125
100
Unit
K/W
Electrical Characteristics
T
j
= 25
_
C
Parameter
Forward voltage
Reverse current
Test Conditions
I
F
=1A
V
R
=V
RRM
V
R
=V
RRM
, T
j
=100
擄
C
Type
Symbol
V
F
I
R
Min
Typ
Max
750
100
1
Unit
mV
m
A
mA
Document Number 86014
Rev. 3, 08-Sep-00
www.vishay.com
1 (4)

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