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BYF90 Datasheet

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140 COMMERCE DRIVE
MONTGOMERYVILLE, PA
18936-1013
PHONE: (215) 631-9840
FAX: (215) 631-9855
BFY90
RF & MICROWAVE DISCRETE
LOW POWER TRANSISTORS
Features
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
Silicon NPN, To-72 packaged VHF/UHF Transistor
Low Noise, 2.5 dB (typ) @ 500 MHz, 5v, 2.0 mA,
1.3 GHz Current-Gain Bandwidth Product @ 25mA IC
2
1
3
4
Power Gain, G
PE
= 19 dB (typ) @ 200 MHz
1. Emitter
2. Base
3. Collector
4. Case
TO-72
DESCRIPTION:
Silicon NPN transistor, designed for VHF/UHF equipment. Applications include low noise amplifier; oscillator, and mixer
applications.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(Tcase = 25
擄
C)
Symbol
V
CEO
V
CBO
V
EBO
I
C
Parameter
Collector-Emitter Voltage
Collector-Base Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current
Value
15
30
2.5
50
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
mA
Thermal Data
P
D
Total Device Dissipation @ T
A
= 25潞C
Derate above 25潞C
200
1.14
mWatts
mW/ 潞C
PRELIMINARY
BFY90.PDF
3-10-99

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