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BUZ901CDP Datasheet

  • BUZ901CDP

  • TRANSISTOR AUDIO NF LEISTUNGS MOSFET

  • 4頁

  • ETC

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上傳產(chǎn)品規(guī)格書

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MAGNA
TEC
20.0
5.0
BUZ900DP
BUZ901DP
MECHANICAL DATA
Dimensions in mm
3.3 Dia.
N鈥揅HANNEL
POWER MOSFET
POWER MOSFETS FOR
AUDIO APPLICATIONS
FEATURES
1
2.0
2
3
2.0
1.0
鈥?HIGH SPEED SWITCHING
鈥?N鈥揅HANNEL POWER MOSFET
鈥?SEMEFAB DESIGNED AND DIFFUSED
鈥?HIGH VOLTAGE (160V & 200V)
鈥?HIGH ENERGY RATING
1.2
0.6
2.8
3.4
鈥?ENHANCEMENT MODE
鈥?INTEGRAL PROTECTION DIODE
鈥?P鈥揅HANNEL ALSO AVAILABLE AS
BUZ905DP & BUZ906DP
鈥?DOUBLE DIE PACKAGE FOR MAXIMUM
POWER AND HEATSINK SPACE
5.45 5.45
TO鈥?PBL
Pin 1 鈥?Gate
Pin 2 鈥?Source
Case is Source
Pin 3 鈥?Drain
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T
case
= 25擄C unless otherwise stated)
V
DSX
Drain 鈥?Source Voltage
V
GSS
I
D
I
D(PK)
P
D
T
stg
T
j
R
胃JC
Gate 鈥?Source Voltage
Continuous Drain Current
Body Drain Diode
Total Power Dissipation
Storage Temperature Range
Maximum Operating Junction Temperature
Thermal Resistance Junction 鈥?Case
@ T
case
= 25擄C
BUZ900DP
160V
16A
16A
250W
鈥?5 to 150擄C
150擄C
0.5擄C/W
BUZ901DP
200V
鹵14V
Magnatec.
Telephone (01455) 554711. Telex: 341927. Fax (01455) 552612.
Prelim. 2/95

BUZ901CDP 產(chǎn)品屬性

  • 50 ns

  • 100 ns

  • 通孔

  • 25mm

  • TO-3

  • 39 x 25 x 8.7mm

  • 2

  • 125 W

  • ±14 V

  • 200 V

  • 16 A

  • +150 °C

  • 1

  • 功率 MOSFET

  • 增強(qiáng)

  • N

  • 單

  • 39mm

  • 8.7mm

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