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BUZ80F Datasheet

  • BUZ80F

  • N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS(196.99 k)

  • 10頁(yè)

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BUZ80
BUZ80FI
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE
POWER MOS TRANSISTOR
TYPE
BUZ80
BUZ80FI
s
s
s
s
s
s
s
V
DSS
800 V
800 V
R
DS( on)
< 4
鈩?/div>
< 4
鈩?/div>
I
D
3.4 A
2.1 A
TYPICAL R
DS(on)
= 3.3
鈩?/div>
AVALANCHE RUGGEDNESS TECHNOLOGY
100% AVALANCHE TESTED
REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100
o
C
LOW INPUT CAPACITANCE
LOW GATE CHARGE
APPLICATION ORIENTED
CHARACTERIZATION
3
1
2
3
1
2
TO-220
ISOWATT220
APPLICATIONS
s
HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING
s
SWITCH MODE POWER SUPPLIES (SMPS)
s
CONSUMER AND INDUSTRIAL LIGHTING
s
DC-AC INVERTERS FOR WELDING
EQUIPMENT AND UNINTERRUPTIBLE
POWER SUPPLY (UPS)
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
Parameter
BUZ80
V
D S
V
DG R
V
GS
I
D
I
D
I
D M
(鈥?
P
tot
V
ISO
T
stg
T
j
Drain-source Voltage (V
GS
= 0)
Drain- gate Voltage (R
GS
= 20 k鈩?
Gate-source Voltage
Drain Current (continuous) at T
c
= 25
o
C
Drain Current (continuous) at T
c
= 100
o
C
Drain Current (pulsed)
Total Dissipation at T
c
= 25
o
C
Derating Factor
Insulation Withstand Voltage (DC)
Storage Temperature
Max. Operating Junction Temperature
3.4
2.1
13
100
0.8
錚?/div>
-65 to 150
150
800
800
鹵
20
2.1
1.3
13
40
0.32
2000
Value
BUZ80FI
V
V
V
A
A
A
W
W/
o
C
V
o
o
Unit
C
C
(鈥? Pulse width limited by safe operating area
April 1993
1/10

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    SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanch...
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    N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
    STMICROELECTRONICS
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    N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
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    SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanch...
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    N - CHANNEL 800V - 2.5ohm - 3.8A - TO-220 FAST POWER MOS TRA...
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    SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode)
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    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 6A I(D) | ...
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