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BUZ60B Datasheet

  • BUZ60B

  • 4.5A, 400V, 1.500 Ohm, N-Channel Power MOSFET

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BUZ60B
Semiconductor
Data Sheet
October 1998
File Number 2261.1
4.5A, 400V, 1.500 Ohm, N-Channel Power
MOSFET
Features
鈥?4.5A, 400V
[ /Title
This is an N-Channel enhancement mode silicon gate power
鈥?r
DS(ON)
= 1.500鈩?/div>
(BUZ60
鏗乪ld effect transistor designed for applications such as
鈥?SOA is Power Dissipation Limited
B)
switching regulators, switching converters, motor drivers,
/Sub-
鈥?Nanosecond Switching Speeds
relay drivers, and drivers for high power bipolar switching
transistors requiring high speed and low gate drive power.
ject
鈥?Linear Transfer Characteristics
This type can be operated directly from integrated circuits.
(4.5A,
鈥?High Input Impedance
400V,
Formerly developmental type TA17414.
鈥?Majority Carrier Device
1.500
Ordering Information
鈥?Related Literature
Ohm,
- TB334 鈥淕uidelines for Soldering Surface Mount
PACKAGE
BRAND
N-Chan-
PART NUMBER
Components to PC Boards鈥?/div>
BUZ60B
TO-220AB
BUZ60B
nel
Power
NOTE: When ordering, use the entire part number.
Symbol
MOS-
D
FET)
/Author
()
G
/Key-
S
words
(Harris
Semi-
conduc-
tor, N-
Packaging
Chan-
JEDEC TO-220AB
nel
Power
SOURCE
DRAIN
MOS-
GATE
DRAIN (FLANGE)
FET,
TO-
220AB)
/Cre-
ator ()
/DOCIN
FO pdf-
mark
[ /Page-
Mode
/Use-
1
CAUTION: These devices are sensitive to electrostatic discharge; follow proper IC Handling Procedures.
1-800-4-HARRIS
|
Copyright
漏
Harris Corporation 1998

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    5.5A, 400V, 1.000 Ohm, N-Channel Power MOSFET
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    SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanch...
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    SIPMOS Power Transistor
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    SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanch...
    SIEMENS [S...
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    INTERSIL [...
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    INFINEON
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    SIPMOS Power Transistor
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    SIEMENS [S...
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    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 11.5A I(D)...
    ETC
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    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 11.5A I(D)...
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