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BUZ382 Datasheet

  • BUZ382

  • SIPMOS Power Transistor(400 V 12.5A 0.4 Ohm TO-218AA)

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BUZ 382
SIPMOS
廬
Power Transistor
鈥?N channel
鈥?Enhancement mode
鈥?FREDFET
Pin 1
G
Pin 2
D
Pin 3
S
Type
BUZ 382
V
DS
400 V
I
D
12.5 A
R
DS(on)
0.4
鈩?/div>
Package
TO-218 AA
Ordering Code
C67078-A3207-A2
Maximum Ratings
Parameter
Drain source voltage
Drain-gate voltage
Symbol
Values
400
400
Unit
V
V
DS
V
DGR
I
D
R
GS
= 20 k鈩?/div>
Continuous drain current
A
12.5
T
C
= 30 擄C
Pulsed drain current
I
Dpuls
50
T
C
= 25 擄C
Gate source voltage
Power dissipation
V
GS
P
tot
鹵
20
125
V
W
T
C
= 25 擄C
Operating temperature
Storage temperature
Thermal resistance, chip case
Thermal resistance, chip to ambient
DIN humidity category, DIN 40 040
IEC climatic category, DIN IEC 68-1
T
j
T
stg
R
thJC
R
thJA
-55 ... + 150
-55 ... + 150
鈮?/div>
1
75
E
55 / 150 / 56
擄C
K/W
Semiconductor Group
1
07/96

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    SIPMOS Power Transistor
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    SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanch...
    SIEMENS [S...
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    9.5A, 200V, 0.400 Ohm, N-Channel Power MOSFET
    INTERSIL
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    SIPMOS Power Transistor
    INFINEON [...
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    SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanch...
    SIEMENS [S...
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    9.5A, 200V, 0.400 Ohm, N-Channel Power MOSFET
    INTERSIL [...
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    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 22A I(D) |...
    ETC
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