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BUZ357 Datasheet

  • BUZ357

  • SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanch...

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BUZ 357
SIPMOS
廬
Power Transistor
鈥?N channel
鈥?Enhancement mode
鈥?Avalanche-rated
Pin 1
G
Pin 2
D
Pin 3
S
Type
BUZ 357
V
DS
1000 V
I
D
5.1 A
R
DS(on)
2
鈩?/div>
Package
TO-218 AA
Ordering Code
C67078-S3110-A2
Maximum Ratings
Parameter
Continuous drain current
Symbol
Values
5.1
Unit
A
I
D
I
Dpuls
20
T
C
= 25 擄C
Pulsed drain current
T
C
= 25 擄C
Avalanche current,limited by
T
jmax
Avalanche energy,periodic limited by
T
jmax
Avalanche energy, single pulse
I
AR
E
AR
E
AS
5.1
18
mJ
I
D
= 5.1 A,
V
DD
= 50 V,
R
GS
= 25
鈩?/div>
L
= 62 mH,
T
j
= 25 擄C
Gate source voltage
Power dissipation
850
V
GS
P
tot
鹵
20
125
V
W
T
C
= 25 擄C
Operating temperature
Storage temperature
Thermal resistance, chip case
Thermal resistance, chip to ambient
DIN humidity category, DIN 40 040
IEC climatic category, DIN IEC 68-1
Semiconductor Group
T
j
T
stg
R
thJC
R
thJA
-55 ... + 150
-55 ... + 150
鈮?/div>
1
75
E
55 / 150 / 56
擄C
K/W
1
01/97

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    SIPMOS Power Transistor
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    SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanch...
    SIEMENS [S...
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    9.5A, 200V, 0.400 Ohm, N-Channel Power MOSFET
    INTERSIL
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    SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanch...
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    SIPMOS Power Transistor
    INFINEON [...
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    SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanch...
    SIEMENS [S...
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    9.5A, 200V, 0.400 Ohm, N-Channel Power MOSFET
    INTERSIL [...
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    SIEMENS [S...
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    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 22A I(D) |...
    ETC
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