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BUZ342 Datasheet

  • BUZ342

  • SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanch...

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BUZ 342
SIPMOS
廬
Power Transistor
鈥?N channel
鈥?Enhancement mode
鈥?Avalanche-rated
鈥?dv/dt rated
鈥?Ultra low on-resistance
鈥?175擄C operating temperature
Pin 1
G
Type
BUZ 342
Pin 2
D
Pin 3
S
V
DS
50 V
I
D
60 A
R
DS(on)
0.01
鈩?/div>
Package
TO-218 AA
Ordering Code
C67078-S3135-A2
Maximum Ratings
Parameter
Continuous drain current
Symbol
Values
60
Unit
A
I
D
I
Dpuls
240
T
C
= 150 擄C
Pulsed drain current
T
C
= 25 擄C
Avalanche energy, single pulse
E
AS
460
dv/dt
mJ
I
D
= 60 A,
V
DD
= 25 V,
R
GS
= 25
鈩?/div>
L
= 128 碌H,
T
j
= 25 擄C
Reverse diode dv/dt
kV/碌s
I
S
= 0 A,
V
DS
= 0 V, di
F
/dt = 0 A/碌s
T
jmax
= 0 擄C
Gate source voltage
Power dissipation
V
GS
P
tot
鹵
20
400
V
W
T
C
= 25 擄C
Operating temperature
Storage temperature
Thermal resistance, chip case
Thermal resistance, chip to ambient
DIN humidity category, DIN 40 040
IEC climatic category, DIN IEC 68-1
T
j
T
stg
R
thJC
R
thJA
-55 ... + 175
-55 ... + 175
鈮?/div>
0.37
鈮?/div>
75
E
55 / 175 / 56
擄C
K/W
Semiconductor Group
1
07/96

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    SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanch...
    SIEMENS [S...
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    9.5A, 200V, 0.400 Ohm, N-Channel Power MOSFET
    INTERSIL
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    SIPMOS Power Transistor
    INFINEON [...
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    SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanch...
    SIEMENS [S...
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    9.5A, 200V, 0.400 Ohm, N-Channel Power MOSFET
    INTERSIL [...
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    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 22A I(D) |...
    ETC
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