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BUW14 Datasheet

  • BUW14

  • Silicon Diffused Power Transistor

  • 65.71KB

  • 6頁

  • PHILIPS

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Philips Semiconductors
Product specification
Silicon Diffused Power Transistor
BUW14
GENERAL DESCRIPTION
High-voltage, high-speed, glass passivated npn power transistor in a SOT82 envelope intended for use in
converters, inverters, switching regulators, motor control systems and switching applications.
QUICK REFERENCE DATA
SYMBOL
V
CESM
V
CEO
I
C
I
CM
P
tot
t
f
PARAMETER
Collector-emitter voltage peak value
Collector-emitter voltage (open base)
Collector current (DC)
Collector current peak value
Total power dissipation
Fall time
CONDITIONS
V
BE
= 0 V
TYP.
-
-
-
-
-
0.4
MAX.
1000
450
0.5
1
20
-
UNIT
V
V
A
A
W
碌s
T
mb
鈮?/div>
60 藲C
PINNING - SOT82
PIN
1
2
3
DESCRIPTION
emitter
collector
base
PIN CONFIGURATION
SYMBOL
c
b
1
2
3
e
LIMITING VALUES
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134)
SYMBOL
V
CESM
V
CEO
I
C
I
CM
I
B
I
BM
-I
BM
P
tot
T
stg
T
j
PARAMETER
Collector-emitter voltage peak value
Collector-emitter voltage (open base)
Collector current (DC)
Collector current peak value
Base current (DC)
Base current peak value
Reverse base current peak value
1
Total power dissipation
Storage temperature
Junction temperature
CONDITIONS
V
BE
= 0 V
MIN.
-
-
-
-
-
-
-
-
-65
-
MAX.
1000
450
0.5
1
0.2
0.3
0.3
20
150
150
UNIT
V
V
A
A
A
A
A
W
藲C
藲C
T
mb
鈮?/div>
60 藲C
THERMAL RESISTANCES
SYMBOL
R
th j-mb
R
th j-a
PARAMETER
Junction to mounting base
Junction to ambient
CONDITIONS
-
in free air
TYP.
-
100
MAX.
4.5
-
UNIT
K/W
K/W
1
Turn-off current.
March 1992
1
Rev 1.000

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    廠商
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