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BUV61 Datasheet

  • BUV61

  • HIGH POWER NPN SILICON TRANSISTOR

  • 5頁(yè)

  • STMICROELECTRONICS   STMICROELECTRONICS

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廬
BUV61
HIGH POWER NPN SILICON TRANSISTOR
s
s
s
s
NPN TRANSISTOR
HIGH CURRENT CAPABILITY
FAST SWITCHING SPEED
FULLY CHARACTERIZED AT 125
o
C
APPLICATION
s
SWITCHING REGULATORS
s
MOTOR CONTROL
DESCRIPTION
The BUV61 is a Multi-Epitaxial planar NPN
transistor in TO-3 metal case.
It is intented for use in high frequency and
efficiency converters such us motor controllers
and industrial equipment.
1
2
TO-3
(version " S ")
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
V
CEV
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
Base
P
tot
T
stg
T
j
Parameter
Collector-emitter Voltage (V
BE
= -1.5V)
Collector-emitter Voltage (I
B
= 0)
Emitter-Base Voltage (I
C
= 0)
Collector Current
Collector Peak Current
Base Current
Base Peak Current
Reverse Bias Base Dissipation
(B.E. junction in avalanche)
o
Total Power Dissipation at T
case
< 25 C
Storage Temperature
Max Operating Junction Temperature
Value
300
200
7
50
75
8
15
2
250
-65 to 200
200
Unit
V
V
V
A
A
A
A
W
W
o
o
C
C
October 2003
1/5

BUV61 產(chǎn)品屬性

  • STMicroelectronics

  • Transistors Bipolar (BJT)

  • NPN

  • 200 V

  • 7 V

  • 50 A

  • Single

  • + 150 C

  • Through Hole

  • TO-3

  • - 65 C

  • 250000 mW

  • 100

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