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BUV26 Datasheet

  • BUV26

  • MEDIUM POWER NPN SILICON TRANSISTOR

  • 4頁

  • STMICROELECTRONICS   STMICROELECTRONICS

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BUV26
MEDIUM POWER NPN SILICON TRANSISTOR
s
s
s
s
SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPE
NPN TRANSISTOR
FAST SWITCHING SPEED
LOW COLLECTOR EMITTER SATURATION
APPLICATIONS
s
SWITCHING REGULATORS
s
MOTOR CONTROL
DESCRIPTION
The BUV26 is a Multiepitaxial Planar NPN
Transistor in TO-220 package. It is intended for
use in high frequency and efficency converters,
switching regulators and motor control.
3
1
2
TO-220
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
tot
P
tot
T
stg
T
j
Parameter
Collector-base Voltage (I
E
= 0)
Collector-Emitter Voltage (I
B
= 0)
Emitter-Base Voltage (I
C
= 0)
Emitter Current
Collector Peak Current (t
p
<10ms)
Base Current
Base Peak Current (t
p
<10ms)
Total Dissipation at Tc < 25 C
Total Dissipation at T
c
< 60
o
C
Storage Temperature
Max. Operating Junction Temperature
o
Value
180
90
7
14
25
4
6
85
65
-65 to +175
175
Unit
V
V
V
A
A
A
A
W
W
o
o
C
C
June 1997
1/4

BUV26 產(chǎn)品屬性

  • 50

  • 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

  • 晶體管(BJT) - 單路

  • -

  • NPN

  • 10A

  • 90V

  • 1.5V @ 1.2A，12A

  • -

  • -

  • 85W

  • -

  • 通孔

  • TO-220-3

  • TO-220AB

  • 管件

  • 497-7215-5BUV26-ND

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