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BUT232V Datasheet

  • BUT232V

  • NPN TRANSISTOR POWER MODULE

  • 7頁

  • STMICROELECTRONICS   STMICROELECTRONICS

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BUT232V
NPN TRANSISTOR POWER MODULE
s
s
s
s
s
s
HIGH CURRENT POWER BIPOLAR MODULE
VERY LOW R
th
JUNCTION CASE
SPECIFIED ACCIDENTAL OVERLOAD
AREAS
ISOLATED CASE (2500V RMS)
EASY TO MOUNT
LOW INTERNAL PARASITIC INDUCTANCE
INDUSTRIAL APPLICATIONS:
s
MOTOR CONTROL
s
SMPS & UPS
s
DC/DC & DC/AC CONVERTERS
ISOTOP
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
V
CEV
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
t ot
T
stg
T
j
V
I SO
Parameter
Collector-Emitter Voltage (V
BE
= -5 V)
Emitter-Base Voltage (I
C
= 0)
Collector Current
Collector Peak Current (t
p
= 10 ms)
Base Current
Base Peak Current (t
p
= 10 ms)
Tot al Dissipation at T
c
= 25 C
Storage Temperature
Max. Ope rating Junction Temperature
Insulation Withstand Voltage (AC-RMS)
o
Value
400
300
7
140
210
28
42
300
-55 to 150
150
2500
Unit
V
V
V
A
A
A
A
W
o
o
o
V
CEO(sus)
Collector-Emitter Voltage (I
B
= 0)
C
C
C
1/7
September 1997

BUT232V 產(chǎn)品屬性

  • STMicroelectronics

  • Transistors Bipolar (BJT)

  • NPN

  • 300 V

  • 7 V

  • 140 A

  • 17

  • Through Hole

  • ISOTOP

  • Tube

  • 140 A

  • 300 W

  • 10

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