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BUT11A Datasheet

  • BUT11A

  • High Voltage Power Switching Applications

  • 4頁

  • FAIRCHILD

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上傳產(chǎn)品規(guī)格書

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BUT11/11A
BUT11/11A
High Voltage Power Switching Applications
1
TO-220
2.Collector
3.Emitter
NPN Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
C
=25擄C unless otherwise noted
Symbol
V
CBO
Collector-Base Voltage
: BUT11
: BUT11A
V
CEO
Collector-Emitter Voltage
: BUT11
: BUT11A
Emitter-Base Voltage
Collector Current (DC)
*Collector Current (Pulse)
Base Current (DC)
*Base Current (Pulse)
Collector Dissipation (T
C
=25擄C)
Junction Temperature
Storage Temperature
Parameter
1.Base
Value
850
1000
Units
V
V
400
450
9
5
10
2
4
100
150
- 65 ~ 150
V
A
A
A
A
W
擄C
擄C
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
I
BP
P
C
T
J
T
STG
Electrical Characteristics
T
C
=25擄C unless otherwise noted
Symbol
V
CEO
(sus)
Parameter
* Collector-Emitter Sustaining Voltage
: BUT11
: BUT11A
Collector Cut-off Current
: BUT11
: BUT11A
I
EBO
V
CE
(sat)
Emitter Cut-off Current
Collector-Emitter Saturation Voltage
: BUT11
: BUT11A
Base-Emitter Saturation Voltage
: BUT11
: BUT11A
Turn On Time
Storage Time
Fall Time
V
CE
= 850V, V
BE
= 0
V
BE
= 9V, I
C
= 0
I
C
= 3A, I
B
= 0.6A
I
C
= 2.5A, I
B
= 0.5A
I
C
= 3A, I
B
= 0.6A
I
C
= 2.5A, I
B
= 0.5A
V
CC
= 250V, I
C
= 2.5A
I
B1
= -I
B2
= 0.5A
R
L
= 100鈩?/div>
1
1
10
1.5
1.5
1.3
1.3
1
4
0.8
mA
mA
mA
V
V
V
V
碌s
碌s
碌s
Test Condition
I
C
= 100mA, I
B
= 0
Min.
400
450
Typ.
Max.
Units
V
V
I
CES
V
BE
(sat)
t
ON
t
STG
t
F
* Pulsed: pulsed duration = 300碌s, duty cycle = 1.5%
Thermal Characteristics
T
C
=25擄C unless otherwise noted
Symbol
R
胃jC
Parameter
Thermal Resistance, Junction to Case
Typ
Max
1.25
Units
擄C/W
Rev. B1, August 2001
漏2001 Fairchild Semiconductor Corporation

BUT11A 產(chǎn)品屬性

  • 200

  • 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

  • 晶體管(BJT) - 單路

  • -

  • NPN

  • 5A

  • 450V

  • 1.5V @ 500mA，2.5A

  • 1mA

  • -

  • 100W

  • -

  • 通孔

  • TO-220-3

  • TO-220

  • 散裝

  • BUT11A-NDBUT11AFS

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  • 型號
    版本
    描述
    廠商
    下載
  • 英文版
    NPN SILICON POWER TRANSISTOR
    POINN
  • 英文版
    High Voltage Power Switching Applications
    FAIRCHILD
  • 英文版
    NPN SILICON TRANSISTOR(HIGH VOLTAGE POWER SWITCHING APPLICAT...
    WINGS
  • 英文版
    Silicon diffused power transistors
    PHILIPS
  • 英文版
    NPN SILICON POWER TRANSISTOR
    TRSYS
  • 英文版
    isc Silicon NPN Power Transistor
    ISC [Incha...
  • 英文版
    Silicon NPN Power Transistors
    SAVANTIC [...
  • 英文版
    Silicon diffused power transistors
    PHILIPS [P...
  • 英文版
    NPN SILICON TRANSISTOR(HIGH VOLTAGE POWER SWITCHING APPLICAT...
    WINGS [Win...
  • 英文版
    NPN SILICON POWER TRANSISTOR
    POINN [Pow...
  • 英文版
    NPN SILICON POWER TRANSISTOR
    TRSYS [TRS...
  • 英文版
    High Voltage Power Switching Applications
    FAIRCHILD ...
  • 英文版
    High Voltage Power Switching Applications
    FAIRCHILD
  • 英文版
    SILICON DIFFUSED POWER TRANSISTOR(GENERAL DESCRIPTION)
    WINGS
  • 英文版
    Silicon diffused power transistors
    PHILIPS
  • 英文版
    isc Silicon NPN Power Transistor
    ISC [Incha...
  • 英文版
    Silicon NPN Power Transistors
    SAVANTIC [...
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    PHILIPS [P...
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