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BUT100 Datasheet

  • BUT100

  • HIGH POWER NPN SILICON TRANSISTOR

  • 4頁

  • STMICROELECTRONICS   STMICROELECTRONICS

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BUT100
HIGH POWER NPN SILICON TRANSISTOR
s
s
s
s
s
SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPE
NPN TRANSISTOR
HIGH CURRENT CAPABILITY
FAST SWITCHING SPEED
HIGH RUGGEDNESS
APPLICATION
s
MOTOR CONTROL
s
UNINTERRUPTABLE POWER SUPPLY
DESCRIPTION
The BUT100 is a Multiepitaxial Planar NPN
Transistor in TO-3 package. It is intended for use
in high frequency and efficency converters,
switching regulators and motor control.
1
2
TO-3
(version " S ")
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
V
CEV
V
CEO
V
EBO
I
E
I
EM
I
B
I
BM
P
tot
T
stg
T
j
Parameter
Collector-Emitter Voltage (V
BE
= -1.5V)
Collector-Emitter Voltage (I
B
= 0)
Emitter-Base Voltage (I
C
= 0)
Emitter Current
Emitter Peak Current
Base Current
Base Peak Current
Total Dissipation at T
c
< 25 C
Storage Temperature
Max. Operating Junction Temperature
o
Value
200
125
7
50
150
10
30
300
-65 to 200
200
Unit
V
V
V
A
A
A
A
W
o
o
C
C
April 1997
1/4

BUT100 產(chǎn)品屬性

  • 通孔

  • 26.2mm

  • TO-3

  • 8.7 x 39.5 x 26.2mm

  • 3

  • NPN

  • -65 °C

  • 300000 mW

  • 7 V

  • 2 V

  • 125 V

  • 0.9 V

  • 200 V

  • +200 °C

  • 1

  • 雙極功率

  • 單

  • 39.5mm

  • 8.7mm

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