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BUP314D Datasheet

  • BUP314D

  • IGBT With Antiparallel Diode (Low forward voltage drop High ...

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BUP 314D
IGBT With Antiparallel Diode
Preliminary data
鈥?Low forward voltage drop
鈥?High switching speed
鈥?Low tail current
鈥?Latch-up free
鈥?Including fast free-wheel diode
Pin 1
G
Type
BUP 314D
Maximum Ratings
Parameter
Collector-emitter voltage
Collector-gate voltage
Symbol
Values
1200
1200
Unit
V
Pin 2
C
Ordering Code
Q67040-A4226-A2
Pin 3
E
V
CE
I
C
Package
TO-218 AB
1200V 42A
V
CE
V
CGR
V
GE
I
C
R
GE
= 20 k鈩?/div>
Gate-emitter voltage
DC collector current, (limited by bond wire)
鹵 20
A
42
33
T
C
= 60 擄C
T
C
= 90 擄C
Pulsed collector current,
t
p
= 1 ms
I
Cpuls
84
66
T
C
= 25 擄C
T
C
= 90 擄C
Diode forward current
I
F
28
T
C
= 90 擄C
Pulsed diode current,
t
p
= 1 ms
I
Fpuls
168
T
C
= 25 擄C
Power dissipation
P
tot
300
W
-55 ... + 150
-55 ... + 150
Jul-30-1996
擄C
T
C
= 25 擄C
Chip or operating temperature
Storage temperature
1
T
j
T
stg
Semiconductor Group

BUP314D 產品屬性

  • Infineon

  • IGBT 晶體管

  • Single

  • 1200 V

  • +/- 20 V

  • + 150 C

  • TO-218-3

  • Tube

  • 42 A

  • - 55 C

  • Through Hole

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  • 型號
    版本
    描述
    廠商
    下載
  • 英文版
    Seme LAB [SILICON LPN EPITAXIAL PLANAR]
    SEME-LAB
  • 英文版
    IGBT (Low forward voltage drop High switching speed Low tail...
    INFINEON
  • 英文版
    IGBT (Low forward voltage drop High switching speed Low tail...
    SIEMENS [S...
  • 英文版
    IGBT (Low forward voltage drop High switching speed Low tail...
    INFINEON
  • 英文版
    IGBT (Low forward voltage drop High switching speed Low tail...
    SIEMENS [S...
  • 英文版
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    SIEMENS [S...
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    SIEMENS [S...
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    IGBT (High switching speed Low tail current Latch-up free Av...
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  • 英文版
    IGBT (High switching speed Low tail current Latch-up free Av...
    SIEMENS [S...
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