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BUP305D Datasheet

  • BUP305D

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BUP 305 D
IGBT With Antiparallel Diode
Preliminary data
鈥?Low forward voltage drop
鈥?High switching speed
鈥?Low tail current
鈥?Latch-up free
鈥?Including fast free-wheel diode
Pin 1
G
Pin 2
C
Pin 3
E
Type
BUP 305 D
Maximum Ratings
Parameter
Collector-emitter voltage
Collector-gate voltage
V
CE
I
C
Package
TO-218 AB
Ordering Code
Q67040-A4225-A2
1200V 12A
Symbol
Values
1200
1200
Unit
V
V
CE
V
CGR
V
GE
I
C
R
GE
= 20 k鈩?/div>
Gate-emitter voltage
DC collector current
鹵 20
A
12
8
T
C
= 25 擄C
T
C
= 90 擄C
Pulsed collector current,
t
p
= 1 ms
I
Cpuls
24
16
T
C
= 25 擄C
T
C
= 90 擄C
Diode forward current
I
F
8
T
C
= 90 擄C
Pulsed diode current,
t
p
= 1 ms
I
Fpuls
48
T
C
= 25 擄C
Power dissipation
P
tot
100
W
-55 ... + 150
-55 ... + 150
擄C
T
C
= 25 擄C
Chip or operating temperature
Storage temperature
T
j
T
stg
Semiconductor Group
1
Dec-02-1996

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  • 型號
    版本
    描述
    廠商
    下載
  • 英文版
    Seme LAB [SILICON LPN EPITAXIAL PLANAR]
    SEME-LAB
  • 英文版
    IGBT (Low forward voltage drop High switching speed Low tail...
    INFINEON
  • 英文版
    IGBT (Low forward voltage drop High switching speed Low tail...
    SIEMENS [S...
  • 英文版
    IGBT (Low forward voltage drop High switching speed Low tail...
    INFINEON
  • 英文版
    IGBT (Low forward voltage drop High switching speed Low tail...
    SIEMENS [S...
  • 英文版
    IGBT (Low forward voltage drop High switching speed Low tail...
    INFINEON
  • 英文版
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    SIEMENS [S...
  • 英文版
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    SIEMENS [S...
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    SIEMENS [S...
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    IGBT (Low forward voltage drop High switching speed Low tail...
    SIEMENS [S...
  • 英文版
    IGBT (High switching speed Low tail current Latch-up free Av...
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    IGBT (High switching speed Low tail current Latch-up free Av...
    SIEMENS [S...
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