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BUP212 Datasheet

  • BUP212

  • Low forward voltage drop High switching speed Low tail curre...

  • 7頁(yè)

  • INFINEON   INFINEON

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Infineon
IGBT
BUP 212
鈥?Low forward voltage drop
鈥?High switching speed
鈥?Low tail current
鈥?Latch-up free
鈥?Avalanche rated
Pin 1
G
Type
BUP 212
Maximum Ratings
Parameter
Collector-emitter voltage
Emitter-collector voltage
Collector-gate voltage
Symbol
Values
1200
Unit
V
Pin 2
C
Ordering Code
Q67040-A . . . .
Q67040-A4408
.
Pin 3
E
V
CE
I
C
Package
TO-220 AB
1200V 22A
V
CE
V
EC
V
CGR
R
GE
= 20 k鈩?/div>
Gate-emitter voltage
DC collector current
1200
V
GE
I
C
鹵 20
A
22
8
T
C
= 25 擄C
T
C
= 110 擄C
Pulsed collector current,
t
p
= 1 ms
I
Cpuls
44
16
T
C
= 25 擄C
T
C
= 110 擄C
Avalanche energy, single pulse
E
AS
10
mJ
I
C
= 8 A,
V
CC
= 50 V,
R
GE
= 25
鈩?/div>
L
= 300 碌H,
T
j
= 25 擄C
Power dissipation
P
tot
125
W
-55 ... + 150
-55 ... + 150
擄C
T
C
= 25 擄C
Chip or operating temperature
Storage temperature
T
j
T
stg
Semiconductor Group
1
May-05-1997

BUP212 產(chǎn)品屬性

  • Infineon

  • IGBT 晶體管

  • Single

  • 1200 V

  • +/- 20 V

  • + 150 C

  • TO-220AB-3

  • Tube

  • 22 A

  • - 55 C

  • Through Hole

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  • 型號(hào)
    版本
    描述
    廠商
    下載
  • 英文版
    IGBT (Low forward voltage drop High switching speed Low tail...
    INFINEON
  • 英文版
    IGBT (Low forward voltage drop High switching speed Low tail...
    SIEMENS [S...
  • 英文版
    IGBT (Low forward voltage drop High switching speed Low tail...
    INFINEON
  • 英文版
    IGBT (Low forward voltage drop High switching speed Low tail...
    SIEMENS [S...
  • 英文版
    IGBT (Low forward voltage drop High switching speed Low tail...
    INFINEON
  • 英文版
    IGBT (Low forward voltage drop High switching speed Low tail...
    SIEMENS [S...
  • 英文版
    Low forward voltage drop High switching speed Low tail curre...
    INFINEON
  • 英文版
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