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BUP200D Datasheet

  • BUP200D

  • IGBT With Antiparallel Diode (Low forward voltage drop High ...

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BUP 200 D
IGBT With Antiparallel Diode
Preliminary data
鈥?Low forward voltage drop
鈥?High switching speed
鈥?Low tail current
鈥?Latch-up free
鈥?Including fast free-wheel diode
Pin 1
G
Pin 2
C
Pin 3
E
Type
BUP 200 D
Maximum Ratings
Parameter
Collector-emitter voltage
Collector-gate voltage
V
CE
I
C
Package
TO-220 AB
Ordering Code
Q67040-A4420-A2
1200V 3.6A
Symbol
Values
1200
1200
Unit
V
V
CE
V
CGR
V
GE
I
C
R
GE
= 20 k鈩?/div>
Gate-emitter voltage
DC collector current
鹵 20
A
3.6
2.4
T
C
= 25 擄C
T
C
= 90 擄C
Pulsed collector current,
t
p
= 1 ms
I
Cpuls
7.2
4.8
T
C
= 25 擄C
T
C
= 90 擄C
Diode forward current
I
F
8
T
C
= 90 擄C
Pulsed diode current,
t
p
= 1 ms
I
Fpuls
48
T
C
= 25 擄C
Power dissipation
P
tot
50
W
-55 ... + 150
-55 ... + 150
擄C
T
C
= 25 擄C
Chip or operating temperature
Storage temperature
T
j
T
stg
Semiconductor Group
1
Dec-06-1995

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    IGBT (Low forward voltage drop High switching speed Low tail...
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    SIEMENS [S...
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    SIEMENS [S...
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    Low forward voltage drop High switching speed Low tail curre...
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