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BUK9006-55A Datasheet

  • BUK9006-55A

  • Philips Semiconductors [N-channel Enhancement mode field-ef...

  • 209.88KB

  • PHILIPS

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BUK9006-55A
TrenchMOS鈩?logic level FET
Rev. 01 鈥?1 August 2003
Preliminary data
1. Product pro鏗乴e
1.1 Description
N-channel enhancement mode 鏗乪ld-effect power transistor available as a bare die
using Philips General Purpose Automotive (GPA) TrenchMOS鈩?technology.
Product availability:
BUK9006-55A distributed as individual die on reel.
1.2 Features
s
25 A testing of individual die
s
Inductive energy testing of individual
die
s
Life-tested to Q101 at 175
擄C
s
Automatic visual inspection.
1.3 Applications
s
Automotive systems
s
Motors, lamps and solenoids
s
12 V and 24 V loads
s
General purpose power switching.
1.4 Quick reference data
s
E
DS(AL)S
鈮?/div>
1.1 J
s
V
(BR)DSS
鈮?/div>
55 V
s
Die size = 4.30
脳
4.30 mm (typ)
s
R
DSon(die)
= 5 m鈩?(typ)
s
V
GS(th)
= 1.5 V (typ)
s
Die thickness = 240
碌m
(typ).
2. Pinning information
Table 1:
Pin
1
2
-
Pinning - Bare die simpli鏗乪d outline and symbol
Description
gate
d
Simpli鏗乪d outline
Symbol
source
drain; connected to
underside of die
1
2
g
s
MBB076
03nn81

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