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BUK7C06-40AITE Datasheet

  • BUK7C06-40AITE

  • N-channel TrenchMOS standard level FET

  • 14頁

  • PHILIPS

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BUK7C06-40AITE
N-channel TrenchMOS standard level FET
Rev. 04 鈥?23 June 2005
Product data sheet
1. Product pro鏗乴e
1.1 General description
N-channel enhancement mode power Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package
using TrenchMOS technology, featuring very low on-state resistance and including
TrenchPLUS current sensing, and diodes for ElectroStatic Discharge (ESD) and
overtemperature protection.
1.2 Features
s
Q101 compliant
s
ESD protection
s
Integrated temperature sensor
s
Integrated current sensor
1.3 Applications
s
Variable valve timing for engines
s
Automotive and power switching
s
Electrical power assisted steering
s
Fan control
1.4 Quick reference data
s
V
DS
鈮?/div>
40 V
s
I
D
鈮?/div>
155 A
s
R
DSon
= 4.7 m鈩?(typ)
s
V
F
= 658 mV (typ)
s
S
F
=
鈭?.54
mV/K (typ)
s
I
D
/I
sense
= 615 (typ)
2. Pinning information
Table 1:
Pin
1
2
3
4
5
6
7
mb
Pinning
Description
gate (G)
I
sense
anode (A)
drain (D)
cathode (K)
kelvin source
source (S)
mounting base; connected to
drain (D)
4
123 567
G
mb
D
A
Simpli鏗乪d outline
Symbol
SOT427 (D2PAK)
I
sense
S
K
Kelvin source
sym110

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