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BUK7619-100B Datasheet

  • BUK7619-100B

  • N-channel TrenchMOS standard level FET

  • 12頁

  • PHILIPS

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BUK7619-100B
N-channel TrenchMOS standard level FET
Rev. 01 鈥?10 October 2007
Product data sheet
1. Product pro鏗乴e
1.1 General description
N-channel enhancement mode power Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package
using NXP High Performance Automotive (HPA) TrenchMOS technology.
1.2 Features
I
TrenchMOS technology
I
175
擄C
rated
I
Q101 compliant
I
Standard level compatible
1.3 Applications
I
Automotive systems
I
Motors, lamps and solenoids
I
General purpose power switching
I
12 V, 24 V and 42 V loads.
1.4 Quick reference data
I
E
DS(AL)S
鈮?/div>
222 mJ
I
I
D
鈮?/div>
64 A
I
R
DSon
= 17 m鈩?(typ)
I
P
tot
鈮?/div>
200 W
2. Pinning information
Table 1.
Pin
1
2
3
mb
Pinning
Description
gate (G)
drain (D)
source (S)
mounting base; connected to drain (D)
mbb076
Simpli鏗乪d outline
mb
Symbol
D
G
S
2
1
3
SOT404 (D2PAK)

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