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BUK7526-100B Datasheet

  • BUK7526-100B

  • TrenchMOS standard level FET

  • 15頁(yè)

  • PHILIPS

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BUK75/7626-100B
TrenchMOS鈩?standard level FET
Rev. 01 鈥?11 April 2003
Product data
1. Product pro鏗乴e
1.1 Description
N-channel enhancement mode 鏗乪ld-effect power transistor in a plastic package using
Philips High-Performance Automotive (HPA) TrenchMOS鈩?technology.
Product availability:
BUK7526-100B in SOT78 (TO-220AB)
BUK7626-100B in SOT404 (D
2
-PAK).
1.2 Features
s
Very low on-state resistance
s
175
擄C
rated
s
Q101 compliant
s
Standard level compatible.
1.3 Applications
s
Automotive systems
s
Motors, lamps and solenoids
s
12 V, 24 V and 42 V loads
s
General purpose power switching.
1.4 Quick reference data
s
E
DS(AL)S
鈮?/div>
144 mJ
s
I
D
鈮?/div>
49 A
s
R
DSon
= 22 m鈩?(typ)
s
P
tot
鈮?/div>
157 W.
2. Pinning information
Table 1:
Pin
1
2
3
mb
Pinning - SOT78 and SOT404 simpli鏗乪d outlines and symbol
Description
gate (g)
drain (d)
source (s)
mounting base,
connected to
drain (d)
2
MBK106
Simpli鏗乪d outline
mb
Symbol
[1]
mb
d
g
s
MBB076
1 2 3
1
3
MBK116
SOT78 (TO-220AB)
[1]
SOT404 (D
2
-PAK)
It is not possible to make connection to pin 2 of the SOT404 package.

BUK7526-100B 產(chǎn)品屬性

  • NXP

  • MOSFET

  • N-Channel

  • 100 V

  • +/- 20 V

  • 49 A

  • 0.026 Ohms

  • Single

  • + 175 C

  • Through Hole

  • TO-220AB

  • Rail

  • 19 ns

  • - 55 C

  • 157 W

  • 40 ns

  • 50

  • 47 ns

  • BUK7526-100B,127

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