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BUJ303B Datasheet

  • BUJ303B

  • Silicon Diffused Power Transistor

  • 7頁

  • PHILIPS

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Philips Semiconductors
Product specification
Silicon Diffused Power Transistor
BUJ303B
GENERAL DESCRIPTION
High-voltage, high-speed planar-passivated npn power switching transistor in a TO220AB envelope intended for
use in high frequency electronic lighting ballast applications, converters, inverters, switching regulators, motor
control systems, etc.
QUICK REFERENCE DATA
SYMBOL
V
CESM
V
CBO
V
CEO
I
C
I
CM
P
tot
V
CEsat
h
FEsat
t
f
PARAMETER
Collector-emitter voltage peak value
Collector-Base voltage (open emitter)
Collector-emitter voltage (open base)
Collector current (DC)
Collector current peak value
Total power dissipation
Collector-emitter saturation voltage
DC current gain
Fall time
CONDITIONS
V
BE
= 0 V
TYP.
-
-
-
-
-
-
0.25
10.5
300
MAX.
1050
1050
400
5
10
100
1.5
-
-
UNIT
V
V
V
A
A
W
V
ns
T
mb
鈮?/div>
25 藲C
I
C
= 3 A; I
B
= 1 A
I
C
= 3 A; V
CE
= 1.5 V
I
C
=2.5 A,I
B1
=0.5 A
PINNING - TO220AB
PIN
1
2
3
tab
base
collector
emitter
collector
DESCRIPTION
PIN CONFIGURATION
tab
SYMBOL
c
b
1 23
e
LIMITING VALUES
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134)
SYMBOL
V
CESM
V
CEO
V
CBO
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
tot
T
stg
T
j
PARAMETER
Collector to emitter voltage
Collector to emitter voltage (open base)
Collector to base voltage (open emitter)
Collector current (DC)
Collector current peak value
Base current (DC)
Base current peak value
Total power dissipation
Storage temperature
Junction temperature
CONDITIONS
V
BE
= 0 V
MIN.
-
-
-
-
-
-
-
-
-65
-
MAX.
1050
400
1050
5
10
2
4
100
150
150
UNIT
V
V
V
A
A
A
A
W
藲C
藲C
T
mb
鈮?/div>
25 藲C
THERMAL RESISTANCES
SYMBOL
R
th j-mb
R
th j-a
PARAMETER
Junction to mounting base
Junction to ambient
in free air
CONDITIONS
TYP.
-
60
MAX.
1.25
-
UNIT
K/W
K/W
March 2002
1
Rev 1.000

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    廠商
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    5A, 500V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, SC-63, DPAK-3
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