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BUJ303AX Datasheet

  • BUJ303AX

  • Silicon Diffused Power Transistor

  • 7頁(yè)

  • PHILIPS

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Philips Semiconductors
Preliminary specification
Silicon Diffused Power Transistor
BUJ303AX
GENERAL DESCRIPTION
High-voltage, high-speed planar-passivated npn power switching transistor in a plastic full-pack envelope intended
for use in high frequency electronic lighting ballast applications, converters, inverters, switching regulators, motor
control systems, etc.
QUICK REFERENCE DATA
SYMBOL
V
CESM
V
CBO
V
CEO
I
C
I
CM
P
tot
V
CEsat
h
FEsat
t
f
PARAMETER
Collector-emitter voltage peak value
Collector-Base voltage (open emitter)
Collector-emitter voltage (open base)
Collector current (DC)
Collector current peak value
Total power dissipation
Collector-emitter saturation voltage
DC current gain
Fall time
CONDITIONS
V
BE
= 0 V
TYP.
-
-
-
-
-
-
0.25
12
145
MAX.
1000
1000
500
5
10
32
1.5
-
160
UNIT
V
V
V
A
A
W
V
ns
T
hs
鈮?/div>
25 藲C
I
C
= 3 A; I
B
= 0.6 A
I
C
= 3 A; V
CE
= 5 V
Ic=2.5A,I
B1
=0.5A
PINNING - SOT186A
PIN
1
2
3
base
collector
emitter
DESCRIPTION
PIN CONFIGURATION
case
SYMBOL
c
b
1 2 3
case isolated
e
LIMITING VALUES
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134)
SYMBOL
V
CESM
V
CEO
V
CBO
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
tot
T
stg
T
j
PARAMETER
Collector to emitter voltage
Collector to emitter voltage (open base)
Collector to base voltage (open emitter)
Collector current (DC)
Collector current peak value
Base current (DC)
Base current peak value
Total power dissipation
Storage temperature
Junction temperature
CONDITIONS
V
BE
= 0 V
MIN.
-
-
-
-
-
-
-
-
-65
-
MAX.
1000
500
1000
5
10
2
4
32
150
150
UNIT
V
V
V
A
A
A
A
W
藲C
藲C
T
hs
鈮?/div>
25 藲C
THERMAL RESISTANCES
SYMBOL
R
th j-hs
R
th j-a
PARAMETER
Junction to heatsink
Junction to ambient
CONDITIONS
with heatsink compound
in free air
TYP.
-
55
MAX.
3.95
-
UNIT
K/W
K/W
August 1998
1
Rev 1.000

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    PHILIPS [P...
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    Silicon Diffused Power Transistor
    PHILIPS [P...
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    5A, 500V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, SC-63, DPAK-3
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