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BU508DFI Datasheet

  • BU508DFI

  • HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTORS

  • 8頁

  • STMICROELECTRONICS   STMICROELECTRONICS

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廬
BU208D
BU508D/BU508DFI
HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING
NPN POWER TRANSISTORS
s
s
s
s
s
BU208D AND BU508DFI ARE STM
PREFERRED SALESTYPES
HIGH VOLTAGE CAPABILITY
U.L. RECOGNISED ISOWATT218 PACKAGE
(U.L. FILE # E81734 (N)
JEDEC TO-3 METAL CASE
NPN TRANSISTOR WITH INTEGRATED
FREEWHEELING DIODE
TO-3
1
2
APPLICATIONS:
s
HORIZONTAL DEFLECTION FOR COLOUR
TV
DESCRIPTION
The BU208D, BU508D and BU508DFI are
manufactured
using
Multiepitaxial
Mesa
technology for cost-effective high performance
and uses a Hollow Emitter structure to enhance
switching speeds.
3
2
3
2
TO-218
1
ISOWATT218
1
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
For TO-3 :
C = Tab
E = Pin2.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
V
CES
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CM
P
t ot
T
stg
T
j
June 1998
Parameter
Collector-Emitter Voltage (V
BE
= 0)
Collector-Emitter Voltage (I
B
= 0)
Emitter-Base Voltage (I
C
= 0)
Collector Current
Collector Peak Current (t
p
< 5 ms)
TO - 3
Total Dissipation at T
c
= 25 C
St orage Temperature
Max. Operating Junction Temperature
o
Value
1500
700
10
8
15
T O - 218
125
150
ISOW ATT 218
50
-65 to 150
150
150
175
Unit
V
V
V
A
A
W
o
o
-65 to 175 -65 to 150
C
C
1/8

BU508DFI 產(chǎn)品屬性

  • STMicroelectronics

  • Transistors Switching (Resistor Biased)

  • Single

  • NPN

  • SMD/SMT

  • SOT-93-3

  • 700 V

  • 8 A

  • 8000 mA

  • 50 W

  • + 150 C

  • Tube

  • 10 V

  • - 65 C

  • 30

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