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BU2508DF Datasheet

  • BU2508DF

  • Silicon Diffused Power Transistor

  • 75.10KB

  • 7頁

  • PHILIPS

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Philips Semiconductors
Product specification
Silicon Diffused Power Transistor
BU2508DF
GENERAL DESCRIPTION
Enhanced performance, new generation, high-voltage, high-speed switching npn transistor with an integrated
damper diode in a plastic full-pack envelope intended for use in horizontal deflection circuits of colour television
receivers. Features exceptional tolerance to base drive and collector current load variations resulting in a very low
worst case dissipation.
QUICK REFERENCE DATA
SYMBOL
V
CESM
V
CEO
I
C
I
CM
P
tot
V
CEsat
I
Csat
V
F
t
f
PARAMETER
Collector-emitter voltage peak value
Collector-emitter voltage (open base)
Collector current (DC)
Collector current peak value
Total power dissipation
Collector-emitter saturation voltage
Collector saturation current
Diode forward voltage
Fall time
CONDITIONS
V
BE
= 0 V
TYP.
-
-
-
-
-
-
4.5
1.6
0.4
MAX.
1500
700
8
15
45
1.0
-
2.0
0.6
UNIT
V
V
A
A
W
V
A
V
碌s
T
hs
鈮?/div>
25 藲C
I
C
= 4.5 A; I
B
= 1.12 A
I
F
= 4.5 A
I
Csat
= 4.5 A; I
B(end)
= 1.1 A
PINNING - SOT199
PIN
1
2
3
base
collector
emitter
DESCRIPTION
PIN CONFIGURATION
case
SYMBOL
c
b
Rbe
case isolated
1
2
3
e
LIMITING VALUES
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134)
SYMBOL
V
CESM
V
CEO
I
C
I
CM
I
B
I
BM
-I
B(AV)
-I
BM
P
tot
T
stg
T
j
PARAMETER
Collector-emitter voltage peak value
Collector-emitter voltage (open base)
Collector current (DC)
Collector current peak value
Base current (DC)
Base current peak value
Reverse base current
Reverse base current peak value
1
Total power dissipation
Storage temperature
Junction temperature
CONDITIONS
V
BE
= 0 V
MIN.
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-65
-
MAX.
1500
700
8
15
4
6
100
5
45
150
150
UNIT
V
V
A
A
A
A
mA
A
W
藲C
藲C
average over any 20 ms period
T
hs
鈮?/div>
25 藲C
1
Turn-off current.
July 1998
1
Rev 1.600

BU2508DF 產(chǎn)品屬性

  • 通孔

  • 5.2mm

  • TO-247F

  • 21.5 x 15.3 x 5.2mm

  • 3

  • NPN

  • -65 °C

  • 45000 mW

  • 7.5 V

  • 1.1 V

  • 8 A

  • 700 V

  • 1 V

  • 4 V

  • +150 °C

  • 1

  • 雙極功率

  • 單

  • 15.3mm

  • 21.5mm

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    廠商
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    PHILIPS
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    Silicon Diffused Power Transistor
    PHILIPS [P...
  • 英文版
    Vishay Intertec...
  • 英文版
    Silicon Diffused Power Transistor
    PHILIPS
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    Silicon Diffused Power Transistor
    PHILIPS [P...
  • 英文版
    Silicon Diffused Power Transistor
    PHILIPS [P...
  • 英文版
    Silicon Diffused Power Transistor
    PHILIPS
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    Silicon Diffused Power Transistor
    PHILIPS [P...
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    Silicon Diffused Power Transistor
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    isc Silicon NPN Power Transistor
    ISC [Incha...
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    Silicon Diffused Power Transistor
    PHILIPS [P...
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    Silicon Diffused Power Transistor
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  • 英文版
    Silicon Diffused Power Transistor
    PHILIPS [P...
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    Silicon Diffused Power Transistor
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    Silicon NPN Power Transistors
    ISC [Incha...
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