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BTS3410G Datasheet

  • BTS3410G

  • Smart Dual Lowside Power Switch

  • 11頁(yè)

  • INFINEON   INFINEON

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HITFET
脪
BTS 3410 G
Smart Dual Lowside Power Switch
Features
路
Logic Level Input
路
Input Protection (ESD)
路
Thermal shutdown with
auto restart
路
Overload protection
路
Short circuit protection
路
Overvoltage protection
路
Current limitation
路
Analog driving possible
Product Summary
Drain source voltage
On-state resistance
Nominal load current
Clamping energy
V
DS
R
DS(on)
I
D(Nom)
E
AS
42
200
1.3
150
V
mW
A
mJ
Application
路
All kinds of resistive, inductive and capacitive loads in switching
or linear applications
路
碌C compatible power switch for 12 V DC applications
路
Replaces electromechanical relays and discrete circuits
General Description
N channel vertical power FET in Smart SIPMOS
脪
technology. Fully protected by embedded
protection functions.
V
bb
M
HITFET
芒
In1
Pin 2
Drain1
Pin 7and 8
Logic
Channel 1
Source1
Drain2
Pin 1
In2
Pin 4
Pin 5and 6
Logic
Channel 2
Source2
Pin 3
Complete product spectrum and additional information http://www.infineon.com/hitfet
Page 1
2004-03-05

BTS3410G 產(chǎn)品屬性

  • BTS3410G

  • 2,500

  • 集成電路 (IC)

  • PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 內(nèi)部開關(guān)

  • HITFET®

  • 低端

  • 非反相

  • 2

  • 150 毫歐

  • 1.3A

  • 7.5A

  • 2.2 V ~ 10 V

  • -40°C ~ 150°C

  • 表面貼裝

  • 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

  • PG-DSO-8

  • 帶卷 (TR)

  • BTS3410G-NDBTS3410GNTBTS3410GTBTS3410GT-NDBTS3410GTRBTS3410GXTSP000014334SP000305178

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